13a-Y-10 X線CTR散乱によるCaF_2/Si(111)界面構造と育成条件の研究
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 1993-09-20
著者
-
大見 俊一郎
東京工業大学
-
大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
-
高橋 功
関西学院大学理学部
-
原田 仁平
理学電機(株)x線研究所
-
原田 仁平
名古屋大学
-
伊藤 洋文
名古屋大学工学部
-
高橋 功
名古屋大学工学部応用物理学科
-
川崎 宏治
東京工業大学・総合理工学研究科
-
古川 静二郎
東京工業大学・総合理工学研究科
-
Sokolov N.S.
A.F.Ioffe Phisico-Technical Institute, Russia
-
川崎 宏治
東京工業大学院総理工
-
Sokolov N.s.
A.f.ioffe Phisico-technical Institute Russia
-
大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
古川 静二郎
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
-
高橋 功
名古屋大学・工学部
-
伊藤 洋文
名古屋大学・工学部
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