ECRスパッタ法によるHfN/HfON積層構造の形成(プロセス科学と新プロセス技術)
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概要
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HfN膜のプラズマ酸化により形成したHfON薄膜上に、HfNを堆積して形成したHfN/HfON積層構造の形成に関する検討を行った。深さ10nmの3次元構造Si基板上に堆積した膜厚1nmのHfN膜に対してin-situでプラズマを照射しHfONを形成し、さらにin-situでHfNを60nm堆積した後、rapid thermal armealing(RTA)を行うことでHfN/HfON積層構造を形成した。作製したHfN/HfON/p-Si(100)構造のC-V特性を評価した結果、同条件でHfONを形成した後ex-situでA1電極を形成した場合と比較すると、リーク電流を7.2×10^<-3>A/cm^2から2.3×10^5A/cm^2(@V_<FB>-1V)に低減し、さらに、equivalent oxide thickness(EOT)を1.0nmら0.7nmに薄膜化できることが分かった。
- 2009-10-22
著者
-
大見 俊一郎
東京工業大学
-
佐野 貴洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
-
大西 峻人
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
-
大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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