X線CTR散乱によるInP/InAsP/InP界面の構造解析
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概要
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放射光を用いたCTR散乱の測定・解析により、従来困難であったIII-V族半導体ヘテロ界面での組成分布の1原子層単位での解析を行った。特に、本研究ではOMVPEで作製したIII-V族混晶半導体ヘテロ界面でのV族原子の置換現象を調べるために、InP, InPAs(1ML)/InPの解析を行った。また、置換に大きく作用していると考えられるV族原料によるパージの影響を考える為に、ヘテロ層を成長する代わりにV族パージのみを行った試料の解析も同時に行った。これらの解析結果から、界面付近でのPとAsの置換によるAsの組成分布1原子層オーダーで明らかにし、更にパージ時間がV族置換に及ぼす影響を明らかにすることとができた。CTRの測定は高エネルギー物理学研究所放射光実験施設のBL6A_2で行い、X線の記録にはイメージングプレートを使用した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-17
著者
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
高橋 功
関西学院大学理学部
-
竹田 美和
名古屋大学
-
原田 仁平
理学電機(株)x線研究所
-
山田 直樹
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
-
藤林 桂
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
山田 直樹
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
隈元 隆行
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
高橋 功
名古屋大学工学部応用物理学科
-
原田 仁平
電気通信大学自然科学系
-
田淵 雅夫
名大工
-
高橋 功
名古屋大学・工学部
-
田渕 雅夫
名古屋大学
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