III-V族化合物半導体量子井戸構造におけるIII族組成分布の膜厚および成長温度依存性のX線CTR散乱法による解析(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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概要

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• GaInAs/InP、GaInP/GaAsの様なヘテロ接合構造は、作製の際にIII族、V族両方の原料切替えが必要であり、設計通りの層構造作製が容易でないことが知られている。本研究では、三元系混晶GaInAs、GaInPの層厚がある値より薄くなった時、一般に制御が難しいと考えられるV族組成分布のみならずIII族組成分布の変化も無視できず、設計値とは全く異なる層ができることをX線CTR(crystal truncation rod)散乱法により示す。さらに、薄いヘテロ層でも成長温度を変化することで,組成分布の制御が可能になることを示す。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-05-06

著者

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 小泉 淳

  名大院工

• 小泉 淳

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 山田 寛之

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 田渕 雅夫

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• 田淵 雅夫

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• 久留 真一

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 大賀 涼

  名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

• 大賀 涼

  名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

• 田渕 雅夫

  名古屋大学

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