X線CTR散乱法と断面STMによるヘテロ界面形成過程の考察 : OMVPE法によるInP/InGaAs/InPの形成(電子部品・材料,及び一般)
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概要
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前回の報告で、X線CTR散乱法によって埋もれた界面および埋もれたヘテロ構造が原子レベルで明らかに出来ることを示した。これにより、InP/InGaAs/InPやGaAs/InGaP/GaAsヘテロ構造の上側の界面(InGaAs上のInP、InGaP上のGaAsとの界面)の急峻性が成長条件によって大きく異なることを明らかにした。しかし、これらの界面のダレが、組成勾配なのか、凹凸の集まり(荒れ)を見ているのか判定はできなかった。今回は、断面STMにより文字通り原子レベルの観察を行い、明瞭に凹凸の集まりであること、X線CTR散乱法で明らかにした成長条件依存性や上下の界面の著しい差が、原子レベルで正しいこと、さらには、InP層中に離散的にAs原子が取り込まれていること、などが明らかする。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-07-30
著者
-
中村 新男
名大院工
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
中村 新男
名古屋大学大学院工学研究科
-
山川 市朗
名大院工
-
竹田 美和
名古屋大学
-
田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
田渕 雅夫
名大vbl:jst Trip
-
田淵 雅夫
名大工
-
中村 新男
名古屋大学 理工科学総合研究センター、工学研究科
-
大賀 涼
名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
-
山川 市朗
名古屋大学大学院工学研究科
-
大賀 涼
名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
-
田渕 雅夫
名古屋大学
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