TBPを用いたOMVPE法によるEr添加GaPの成長と評価
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概要
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有機V族原料であるターシャリブチルフォスフィン(tertiarybutylphosphine: TBP)を用いた有機金属気相エピタキシャル(organometallic vapor phase epitaxial: OMVPE)法によりEr添加GaPを成長し、成長条件が試料の諸特性に及ぼす影響について系統的に調べた。2次イオン質量分析(secondary ion mass spectroscopy: SIMS)測定の結果から、試料中のEr濃度はEr原料供給量により制御可能であることがわかった。4.2Kフォトルミネッセンス(Photoluminescence: PL)測定において、1.54μm帯でErの4f殻内遷移に起因する鋭い発光線(半値幅0.2meV-0.3meV)が多数観測され、発光線の相対強度は成長条件に強く依存した。このことは複数の異なるEr発光中心が試料中に共存することを示唆している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-08
著者
-
伊藤 隆
名古屋大学医学部内科学第一講座
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
藤原 康文
名大工
-
藤原 康文
名古屋大学工学部材料教能工学科
-
竹田 美和
名古屋大学
-
川本 武司
名大院工
-
伊藤 隆
名大院工
-
川本 武司
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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