液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InGaAsPへのInAs量子ドットの形成と室温電流注入発光 : エピキタシャル成長III

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概要

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• We have successfully obtained InAs quantum dots grown on InGaAsP/InP by droplet hetero-epitaxy and observed room-temperature electroluminescence (EL) due to the InAs dots. Formation of InAs quantum dots has been investigated as a function of TMIn supply time for formation of In droplets.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2002-07-01

著者

• 藤原 康文

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 藤原 康文

  名大工

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 李 祐植

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 大賀 涼

  名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

• 大賀 涼

  名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー

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