藤原 康文 | 名古屋大学工学部材料教能工学科
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概要
関連著者
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藤原 康文
名古屋大学工学部材料教能工学科
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竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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藤原 康文
名大工
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竹田 美和
名古屋大学
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藤原 康文
大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻
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小泉 淳
名大院工
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小泉 淳
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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吉兼 豪勇
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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大賀 涼
名古屋大学エコトピア科学研究機構ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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大賀 涼
名古屋大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー
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吉兼 豪勇
名古屋大学大学院工学研究科
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藤原 康文
大阪大学 大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻
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李 祐植
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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井上 堅太郎
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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井上 堅太郎
名古屋大学大学院工学研究科
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田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
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田淵 雅夫
名大工
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田渕 雅夫
名古屋大学
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名古屋大学医学部内科学第一講座
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野々垣 陽一
名古屋大学工学部材料機能工学科
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松原 直輝
名古屋大学工学部材料教能工学科
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中村 新男
名古屋大学大学院工学研究科
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川本 武司
名大院工
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伊藤 隆
名大院工
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中村 新男
名古屋大学 理工科学総合研究センター、工学研究科
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山川 市朗
名古屋大学大学院工学研究科
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川本 武司
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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神野 真吾
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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中村 新男
CREST-JST
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野々垣 陽一
岡崎国立共同研究機構分子科学研究所
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松原 直輝
名古屋大学工学部材料機能工学科
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神野 真吾
名古屋大学大学院工学研究科
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田渕 雅夫
名大vbl:jst Trip
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浦上 昇
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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中村 新男
名大院工
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小川 和男
名古屋大学大学院工学研究科
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森 敬洋
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
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久野 尚志
名古屋大学大学院工学研究科
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平田 智也
名古屋大学大学院工学研究科
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井上 大那
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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槇 英信
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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吉田 義浩
名古屋大学大学院工学研究科
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市田 正夫
名古屋大学理工科学総合研究センター
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渡邉 修
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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茜 俊光
Crest-jst
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槇 英信
名古屋大学大学院工学研究科
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塩沢 学
名古屋大学大学院工学研究科
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山内 武志
名古屋大学工学研究科応用物理学専攻
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伊藤 祐介
名古屋大学工学部材料教能工学科
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渕 真悟
名古屋大学工学研究科
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山川 市朗
名大院工
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渡邊 直樹
名大院工
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中野 博彦
(株)サムコインターナショナル研究所
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立田 利明
(株)サムコインターナショナル研究所
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大渕 博宣
名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻
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伊藤 祐介
名古屋大学工学部材料機能工学科
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守屋 博光
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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河村 大輔
名古屋大学工学部材料機能工学科
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藤田 敬次
名古屋大学工学部材料機能工学科
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橋本 政幸
名古屋大学工学部材料機能工学科
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浦上 晃
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学
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涌井 義一
名古屋大学大学院工学研究科
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田名瀬 勝也
名古屋大学大学院工学研究科
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濱中 泰
名古屋大学理工科学総合研究センター, CREST-JST
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辻 理
サムコインターナショナル研
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羽立 等
名古屋大学工学部材料機能工学科
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中野 博彦
サムコインターナショナル研究所
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立田 利明
サムコインターナショナル研究所
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羽立 等
名大理工総研
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中野 博彦
サムコインターナショナル研 開発部
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立田 利明
サムコインターナショナル研
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磯貝 佳孝
名大院工
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渡邊 直樹
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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磯貝 佳孝
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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山内 武志
CREST-JST
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藤田 敬次
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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浦上 昇
名古屋大学大学院工学研究科
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渕 真悟
名古屋大学大学院工学研究科
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中田 博保
大阪教育大学教養学科
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大山 忠司
大阪大学大学院 理学研究科
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今井 俊昭
名古屋大学工学部材料教能工学科
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藤原 康文
阪大工
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大山 忠司
福井工大
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濱中 泰
名工大院
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山田 直樹
福井大学工学研究科電気・電子工学専攻
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山田 直樹
名古屋大学工学部材料機能工学科
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一木 悟史
名古屋大学工学部材料機能工学科
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久留 真一
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
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中田 博保
大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
-
土屋 順次
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
浜中 泰
名大院工
-
丸井 俊治
大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
-
井口 直
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
一木 悟史
名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻
著作論文
- TBP、TBAsを用いたOMVPE成長III-V族化合物半導体の特性に及ぼす水素流量の効果
- 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島/GaP(001)構造の作製
- 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島GaP(001)構造の作製
- Er をδドーピングした InP のX線 CTR 散乱法による界面構造解析
- 希土類添加III-V族半導体による電流注入型発光デバイス
- InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAs バッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InGaAsPへのInAs量子ドットの形成と室温電流注入発光 : エピキタシャル成長III
- InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
- InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
- InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
- Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
- Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
- Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
- TBPを用いたOMVPE法によるEr添加GaPの成長と評価
- TBPを用いたOMVPE法によるEr添加GaPの成長と評価
- InGaAs/InP多重量子井戸の構造と光励起キャリヤダイナミクス
- InGaAs/InP多重量子井戸の構造と光励起キャリヤダイナミクス
- InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ICPを用いた反応性イオンエッチングによるInP2次元フォトニック結晶の作製
- ICPを用いた反応性イオンエッチングによるInP2次元フォトニック結晶の作製
- フェイスダインOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
- フェイスダウンOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
- 有機金属気相エピタキシャル法により作製したGaAs基板上GaInP組成のドーピング濃度依存性 : エピキタシャル成長III
- OMVPE法によるEr,O共添加GaAs/GaInPDH構造発光ダイオードの作製とその発光特性 : エピキタシャル成長III
- 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- TBPを用いたOMVPE法によるEr添加InPの成長と評価
- OMVPE法によりInP中に添加したEr原子周辺の局所構造 : 蛍光EXAFS法による解析
- 蛍光 EXAFS 法による InP 中に均一ドープした Er 原子周囲の局所構造解析
- 液滴ヘテロエピタキシーによるInP(001)上へのInAs島形成
- 28pYF-3 InGaP/GaAs ヘテロ接合における赤外発光
- 23pK-3 希土類添加III-V族半導体のOMVPE成長と発光特性