蛍光 EXAFS 法による InP 中に均一ドープした Er 原子周囲の局所構造解析

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概要

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• OMVPE法によりEr均一添加したInPのEr^<3+>が関与するPLスペクトルの形状は強い成長温度依存性を示す。このことはErが複数の発光下しを形成していること、すなわち、安定なEr原子周辺構造が複数存在することを示唆している。Er原子周辺構造の解明を目的として蛍光EXAFS (extended X-ray absorption fine structure)測定および周辺構造を仮定したEXAFSの理論計算を行った。その結果、成長温度580℃、Er濃度8*10^<18>cm^<-3>の試料ではEr原子の最近接原子はPであり、大多数のErはErP微結晶を形成していることがわかった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-11-24

著者

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 藤原 康文

  名大工

• 松原 直輝

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 大渕 博宣

  名古屋大学工学研究科材料機能工学専攻

• 田渕 雅夫

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 河村 大輔

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 田淵 雅夫

  名大工

• 松原 直輝

  名古屋大学工学部材料機能工学科

• 田渕 雅夫

  名古屋大学

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