非晶質Asマスクを用いた3次元ヘテロ構造形成プロセスに関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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本研究では化合物半導体におけるヘテロ/量子構造デバイスの作製・集積を可能にする, 非晶質Asマスクを用いた新しい真空一貫形成プロセスの確立を目的とした.1.低温(480℃)成長GaAs層上に非晶質As膜を堆積する.2.電子線描画による非晶質As膜へのパターン形成を行い, これをマスクとする.3.金属Inを堆積後, 加熱し, GaAs中へのIn拡散と非晶質Asの昇華に伴うInのリフトオフにより, 面内でパターン形成されたGaInAs/GaAsヘテロ構造を作製する.本報告では, As分子線圧をコントロールすることでプロセス用に適すると考えられる, 平坦で薄い非晶質As膜を得ることができた.また電子線照射による非晶質Asの変質, 低温成長したGaAs中へのInの拡散を確かめることが出来た.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-19
著者
-
竹田 美和
名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻
-
竹田 美和
名古屋大学
-
田渕 雅夫
名古屋大学工学部材料機能工学科
-
田渕 雅夫
名大vbl:jst Trip
-
田淵 雅夫
名大工
-
山田 巧
名古屋大学大学院工学研究科
-
則竹 陽介
名古屋大学大学院工学研究科
-
山田 巧
光エレクトロニクス研究所
-
田渕 雅夫
名古屋大学
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