大山 忠司 | 大阪大学大学院 理学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 大阪大学大学院 理学研究科の論文著者

関連著者

• 大山 忠司

  大阪大学大学院 理学研究科

• 大山 忠司

  福井工大

• 中田 博保

  大阪教育大学教養学科

• 小堀 裕己

  甲南大理工

• 小堀 裕己

  甲南大理工:甲南大量子ナノテク研

• 小堀 裕己

  大阪大学大学院理学研究科物理学専攻

• 大山 忠司

  阪大院理

• 岡下 友則

  大阪大学大学院 理学研究科

• 柴田 力

  阪大院理

• 柴田 力

  大阪大学大学院理学研究科物理学専攻

• 中田 博保

  大阪大学大学院理学研究科物理学専攻

• 藤井 研一

  大阪大学大学院理学研究科

• 大山 忠司

  大阪大学大学院理学研究科

• Fukumi K

  National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn

• 羽藤 隆夫

  阪大院理

• 坪内 夏朗

  阪大院工

• Fujii K

  Osaka Univ. Osaka

• Fujii Ken-ichi

  Department Of Physics Graduate School Of Science Osaka University

• 坪内 夏朗

  大阪大学大学院 工学研究科自由電子レーザー研究施設

• 羽藤 隆夫

  大阪大学大学院理学研究科物理学専攻

• 音 賢一

  千葉大理

• 佐野 泰弘

  大阪大学大学院理学研究科

• 藤井 研一

  阪大院理

• 音 賢一

  大阪大学大学院理学研究科

• 鷹岡 貞夫

  大阪大学大学院理学研究科

• 邑瀬 和生

  大阪大学大学院理学研究科

• 蒲生 健次

  大阪大学大学院基礎工学研究科

• 邑瀬 和生

  阪大院理

• 蒲生 健次

  阪大基礎工

• 音 賢一

  阪大院理

• 鷹岡 貞夫

  阪大院理

• 邑瀬 和生

  大阪教養

• 邑瀬 和生

  阪大・理

• 若家 冨士男

  Osaka Univ. Osaka

• 蒲生 健二

  阪大基礎工

• 蒲生 健次

  大阪大学基礎工学部

• Murase K

  Ntt Corp. Kanagawa Jpn

• 蒲生 健次

  大阪大学基礎工学部電気工学科

• Murase Kazuo

  Department Of Physics Osaka University

• Kazuo Murase

  Department Of Physics Faculty Of Science Osaka University

• Murase Kazuo

  Department Of Applied Physics Osaka City University

• Murase K

  Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn

• 中田 博保

  大阪教育大学教育学部教養学科自然研究講座

• 中田 博保

  大阪教育大学教育学部教養学科

• 太田 仁

  神戸大学分子フォトサイエンス研究センター

• 藤原 康文

  大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻

• 竹田 美和

  名古屋大学工学研究科結晶材料工学専攻

• 藤原 康文

  名大工

• 藤原 康文

  名古屋大学工学部材料教能工学科

• 竹田 美和

  名古屋大学

• 小泉 淳

  名大院工

• 小泉 淳

  名古屋大学大学院工学研究科材料機能工学専攻

• 蒲生 健次

  阪大院基礎工

• 音 賢一

  千葉大学理学部

• 田才 邦彦

  大阪大学大学院理学研究科

• 田才 邦彦

  阪大院理

• 蒲生 健次

  大阪大 基礎工

• 丸井 俊治

  大阪大学大学院理学研究科物理学専攻

• 太田 仁

  神戸大学分子フォトサイエンスセンター

• MURASE Kazuo

  Department of Physics, Osaka University

• 蒲生 健次

  阪大

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著作論文

• 半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果
• 26aC-3 Geにおける共鳴光電磁効果の物理的性質
• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• 31a-ZF-8 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力II
• 26a-YE-4 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力
• 2a-YJ-3 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果II
• 縦型結合ドット配列中の電子状態
• 物性
• ドットおよびリング配列構造の遠赤外磁気光吸収
• 27pXQ-13 人工オパールの合成と反射分光(領域5,領域1合同 : フォトニック結晶)(領域5)
• 27aYG-7 Ge:Teの赤外光伝導とSi:PのTHz発光(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
• 23aTL-5 Ge : Te の赤外光伝導
• 29aZK-2 Ge : Te の赤外光伝導
• 27pXQ-13 人工オパールの合成と反射分光(フォトニック結晶)(領域5,領域1合同)
• 28pYF-3 InGaP/GaAs ヘテロ接合における赤外発光
• 28aZH-1 人工オパールの合成と反射分光
• 28aZH-1 人工オパールの合成と反射分光

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