大山 忠司 | 阪大院理
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概要
関連著者
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大山 忠司
阪大院理
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小堀 裕己
甲南大理工
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小堀 裕己
甲南大理工:甲南大量子ナノテク研
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藤井 研一
阪大院理
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小堀 裕己
阪大院理
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Fukumi K
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn
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大山 忠司
福井工大
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中田 博保
阪大院理
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藤元 章
大工大応物
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藤元 章
阪大院理
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Fujii K
Osaka Univ. Osaka
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Fujii Ken-ichi
Department Of Physics Graduate School Of Science Osaka University
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藤元 章
大工大応用物理:大工大ナノ材研
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石田 修一
山口東理大
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中田 博保
大阪教育大学教養学科
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邑瀬 和生
阪大院理
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音 賢一
阪大院理
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鷹岡 貞夫
阪大院理
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邑瀬 和生
大阪教養
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蒲生 健次
大阪大学基礎工学部
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蒲生 健次
阪大院基礎工
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若家 冨士男
Osaka Univ. Osaka
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蒲生 健次
大阪大学基礎工学部電気工学科
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鈴木 正人
阪大院理
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岡下 友則
大阪大学大学院 理学研究科
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山田 省二
北陸先端大ナノセ
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吉澤 剛
阪大院理
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牛頭 信一郎
NICT
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牛頭 信一朗
北陸先端大
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山田 省二
北陸先端大、新素材センター
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山田 省二
北陸先端大
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鈴木 正人
大阪市立大学大学院理学研究科
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井上 益孝
阪大院理
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野村 知之
阪大院理
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音 賢一
千葉大理
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小堀 裕己
大阪大学大学院理学研究科物理学専攻
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大山 忠司
大阪大学大学院 理学研究科
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蒲生 健二
阪大基礎工
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Kazuo Murase
Department Of Physics Faculty Of Science Osaka University
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Murase K
Nagoya Inst. Technol. Nagoya Jpn
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MURASE Kazuo
Department of Physics, Osaka University
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中田 博保
大教大教養
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牛頭 信一郎
CREST
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山田 耕市
阪大院理
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小堀 裕己
阪大理
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大山 忠司
阪大理
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蒲生 健次
阪大基礎工
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藤安 洋
静大工
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宮田 啓輔
阪大院理
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伊藤 京子
静大工
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石川 隆志
阪大院理
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生一 徳司
日本セラテック
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西藤 哲史
阪大院理
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細川 誠
阪大院理
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菅原 彩子
阪大院理
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河口 正哉
阪大院理
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牛頭 信一郎
北陸先端大
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八田 直記
阪大院理
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奥野 浩生
阪大理
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岡下 友則
阪大院理
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村上 剛史
阪大院理
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田才 邦彦
大阪大学大学院理学研究科
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田才 邦彦
阪大院理
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三田村 知樹
阪大院理
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板崎 優
阪大院理
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蒲生 健次
大阪大 基礎工
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Murase K
Ntt Corp. Kanagawa Jpn
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柴田 力
阪大院理
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小堀 裕己
阪大理学部
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大山 忠司
阪大理学部
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瀬川 智臣
大教大教養
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Murase Kazuo
Department Of Physics Osaka University
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小川 大也
阪大院理
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Rummeli M.H.
DLR研
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Hubers H.-W.
DLR研
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蒲生 健次
阪大
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柴崎 一郎
旭化成
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柴崎 一郎
旭化成工業(株>研究開発本部
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佐藤 和郎
大阪府立産業技術総合研究所
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日下 忠興
大阪府立産業技術総合研究所
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筧 芳治
大阪府立産業技術総合研究所
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邑瀬 和生
大阪大学大学院理学研究科
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青木 和徳
神戸大工
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木戸 義勇
物材機構ナノマテ研
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大山 忠司
阪大教養
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川崎 博之
阪大院理
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高増 正
物材機構ナノマテ研
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小川 剛史
阪大院理
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邑瀬 和生
阪大・理
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羽藤 隆夫
阪大院理
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中田 仗祐
京セミ
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坪内 夏朗
阪大院工自由電子レーザー
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牛頭 信一郎
理研
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細川 大輔
神戸大工
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若野 寿史
阪府大工
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芦田 淳
阪府大工
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藤村 紀文
阪府大工
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小堀 裕巳
阪大院理
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大山 忠司
Osaka Univ. Osaka
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森上 陽子
阪大院理
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今中 康貴
物材機構ナノマテ研
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竹端 寛治
物材機構ナノマテ研
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板崎 優
阪大埋
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中田 仗祐
京セミ(株)
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井上 益孝
阪大理学部
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岡下 友則
阪大理
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Murase Kazuo
Department Of Applied Physics Osaka City University
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Ohyama Teruo
Department Of Physics Gakushuin Univ
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古澤 剛
阪大院理
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蓑毛 友子
阪大院理
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小寺 信夫
九州工大
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坪内 夏朗
阪大院工自由電子レーザ研
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Pavlov S.G.
DLR研
-
Pavlov S.
DLR研
著作論文
- 12aYB-1 半導体光伝導の共鳴ピークに対する不純物効果(低対称系・格子欠陥, 領域 4)
- 23aTH-9 CdTe 及び Ge の磁気光伝導に現れる不純物補償の効果
- 29aZK-11 補償された Ge の遠赤外共鳴 Faraday 回転
- 17pYJ-8 化合物半導体における遠赤外共鳴Faraclay効果
- 30aTB-9 光励起キャリアとの散乱に起因した高純度n型GaAs中の不純物サイクロトロン共鳴吸収の衝突広がり
- 30aTB-8 n-GaAsの磁場誘起・金属-絶縁体転移と遠赤外・磁気光伝導
- 27pTC-15 Ga As/Al Ga As 2次元電子系の磁気超音波吸収
- 27aTC-3 透明導電性酸化物半導体薄膜の電気輸送特性
- 27aTC-2 GaAs基板上のInSb薄膜における電気伝導
- 27aTC-1 デルタドープされたSi:Sbにおける反局在効果
- 22pL-11 金属型Si:Sbの電気伝導と弱局在
- 22pL-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導 II
- 22aL-5 n-InPの遠赤外領域におけるドナーに関連した磁気光吸収振動
- 半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果
- 26aC-3 Geにおける共鳴光電磁効果の物理的性質
- 25aD-12 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗II
- 25aD-10 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光伝導
- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 31a-ZF-9 金属-非金属転移近傍にあるn-GaAsの遠赤外磁気光吸収
- 31a-ZF-8 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力II
- 29p-ZE-8 ZnO中の遷移金属による発光
- 28a-YK-7 ZnOのマイクロ波吸収とフォトルミネッセンス
- 26a-YE-5 n-GaAs中の量子極限における電子 : 不純物散乱II
- 26a-YE-4 共鳴光電磁効果によるn-InGaAs薄膜の熱起電力
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- 25a-T-12 n-GaAsの磁場中でのドナー間相互作用と束縛エネルギー
- 31a-Q-1 金属・非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
- 2a-YJ-5 半導体における強磁場中の電子-中性不純物散乱III
- 2a-YJ-4 n-GaAs中の量子極限における電子・不純物散乱
- 2a-YJ-3 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴光電磁効果II
- 31a-Q-1 金属-非金属転移近傍のSi:Sbにおける輸送特性と局在効果
- n-Si : Sbにおける金属-非金属転移の研究(第42回 物性若手夏の学校(1997年度))
- 5p-A-13 n-InPのポーラロン・サイクロトロン共鳴
- 5p-A-8 化合物半導体における遠赤外光誘起-共鳴電磁効果
- 5p-A-2 高濃度n-Si : Sbの輸送特性.II
- 27pTB-14 縦型二重ドットにおけるドット間結合への光励起効果
- 31p-ZB-6 金属-絶縁体転移近傍におけるSi:Sbの磁気抵抗
- 25a-YG-11 Si:SbのVariable-Range-Hopping伝導に対する磁気抵抗効果
- 29pYF-2 InGaAs/InAlAsヘテロ接合試料のマイクロ波応答(半導体スピン物性)(領域4)
- 20pTL-2 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料のマイクロ波吸収測定
- 29aPS-124 量子リングの高周波応答
- 28aZK-7 InGaAs/InAlAs ヘテロ接合試料におけるゼロ磁場スピン分離の光によるコントロール
- 29aPS-124 量子リングの高周波応答
- 19aYJ-1 変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸のフォトルミネッセンス
- 28pTB-4 変調ドープGaAs/AlGaAs量子井戸の磁気ルミネッセンス
- 29PYA-8 ZnO薄膜中の励起子の発光
- 17aYG-6 酸化インジウム薄膜の磁気抵抗に現れる弱局在, 弱反局在効果
- 22pK-4 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性II
- 24pC-10 II-VI族化合物半導体中におけるMnの発光の母体依存性
- 29a-ZE-4 II-VI族化合物半導体中のMn発光の母体依存性
- 28pYF-10 GaAs/AlGaAsおよびInGaAs/InAlAsヘテロ接合におけるフォトルミネッセンス(量子井戸・超格子)(領域4)
- 20pTH-14 GaAs/AlGaAs および InGaAs/InAlAs ヘテロ接合におけるフォトルミネッセンス
- 27aYS-3 In_xGa_As/In_yAl_Asヘテロ接合中の電子の遠赤外磁気光吸収
- 21aYC-6 微小重力下で成長させた Ge のサイクロトロン共鳴と X 線解析
- 3a-M-2 GaAs中のドナー・ゼーマン吸収と非金属-金属転移
- 31p-S-1 化合物半導体における遠赤外光電磁効果II
- 化合物半導体における遠赤外光電磁効果
- 27aXP-7 人工オパールの光散乱と反射(領域5, 領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 27pXP-7 人工オパールの光散乱と反射(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 31p-S-5 高濃度n-Si:Sbの輸送特性
- 25aK-12 光による縦型二重ドットの閉じ込めポテンシャル変調
- 31a-ZF-10 GaAs/AlGaAsダブルヘテロ接合における遠赤外光検知サイクロトロン共鳴
- 26a-YE-6 GaAs/AlGaAsヘテロ接合中の2次元電子系におけるODCRII
- 2a-YJ-2 GaAs/AlGaAsヘテロ接合中の低次元電子系におけるODCR
- 26aD-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収II
- 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
- 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
- 25p-YG-2 光励起下でのドット配列のポテンシャル変調
- 31a-Q-12 量子ドット配列の電子系の遠赤外磁気光吸収II
- 31a-Q-12 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収II
- 7a-N-8 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収
- 5p-A-1 半導体における強磁場中の電子-中世不純物散乱II
- 31a-S-7 MOCVD成長法によるInPに関する輸送現象
- 半導体における強磁場中の電子-中性不純物散乱
- 30p-X-1 InPにおける遠赤外磁気光吸収 II
- 28a-ZF-10 ZnSe中の不純物による遠赤外光吸収
- 30p-ZB-3 GaAs/AlGaAs二重ヘテロ接合上のドット配列の遠赤外磁気光吸収
- 24aY-10 ZnSe中のLiアクセプタによる赤外吸収
- 24pL-5 GaAs中の2層2次元電子系の磁気ルミネッセンス
- 2a-YJ-6 イオン化不純物に基づく不純物吸収線の不均一拡がりII
- 5p-A-3 イオン化不純物に基づく不純物共鳴線の不均一拡がり
- 31a-E-5 光励起半絶縁性GaAs中の浅いドナーのダイナミックスIII
- 30p-ZE-12 GaAs/AlGaAs-2次元電子系におけるマイクロ波ファラデー回転
- 25aC-3 ZnSe中のLiアクセプタによる赤外吸収
- 28a-YK-8 FT-IRによるZnSe中の不純物準位の研究
- 2p-YJ-4 Cu_2O光学特性とサイクロトロン共鳴に及ぼす熱処理効果II
- 5p-A-10 Cu_2Oの光学特性とサイクロトロン共鳴III
- 6pSB-4 InSbの共鳴Faraday効果(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
- 6pSL-2 Ge:Teの赤外発光と赤外光伝導(不純物・格子欠陥,領域10,領域4合同,領域10)
- 6pSB-8 n-GaAsにおける束縛励起子(D^+,X)のパルス電場下インパクト形成III(輸送現象,励起子,アモルファス,領域4)
- 24pSA-6 ZnSe中Liアクセプタの赤外吸収と発光(24pSA 化合物半導体,層状・低次元物質,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 24aWE-10 化合物半導体における遠赤外共鳴Faraday効果II(24aWE 領域4,領域5合同 超格子,輸送・サイクロトロン共鳴,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))