大山 忠司 | 阪大理
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概要
関連著者
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大山 忠司
阪大理
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中田 博保
阪大理
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佐藤 和郎
大阪府立産業技術総合研究所
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佐藤 和郎
阪大理
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原田 義之
大阪工大ナノ材研
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藤井 研一
阪大理
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小堀 裕己
甲南大理工
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小堀 裕己
甲南大理工:甲南大量子ナノテク研
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小堀 裕己
阪大理
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藤原 康文
名大工
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邑瀬 和生
阪大理
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一色 実
東北大素材研
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大塚 エイ三
阪大教養
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一色 実
東北大工
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一色 実
東北大選研
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大塚 エイ三
阪大理
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竹田 美和
名大工
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大塚 エイ三
阪大理教養
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大山 忠司
阪大院理
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大山 忠司
阪大教養
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広瀬 健次
阪大理
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小川 大也
阪大理
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原田 義之
大阪工大応物
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大山 忠司
Osaka Univ. Osaka
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Ohyama Teruo
Department Of Physics Gakushuin Univ
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野々垣 陽一
岡崎国立共同研究機構分子科学研究所
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清水 伸浩
阪大理
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小川 大也
阪大院理
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井上 益孝
阪大院理
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奥野 浩生
阪大理
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藤安 洋
静大工
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林 茂生
松下電器産業(株)
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楊 柏梁
東北大素材研
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石川 幸雄
東北大素材研
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Wolfe J.P.
イリノイ大
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野々垣 陽一
名大工
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原田 義之
理研
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山本 夕可
阪大理
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大川 和宏
ブレ-メン大固体物理研
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Haller E.e
Berkeley
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藤安 洋
阪大理
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邑頼 和生
阪大理
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犬塚 エイ三
阪大理
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Itoh Kohei
Lbl(univ.of California)
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林 茂生
松下中研
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井上 益孝
阪大理学部
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原田 義之
阪大理
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Haller E.E
LBL(Univ.of California)
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林 茂生
くらし環境開発セ
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青木 崇
阪大理
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一色 実
東北大多元研
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橋本 哲
京教大
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小林 啓介
阪大理
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岡下 友則
大阪大学大学院 理学研究科
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長谷川 洋
京大理物理
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杉原 硬
日大薬
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大山 忠司
福井工大
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杉原 硬
東工大(院)理工
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石田 修一
阪大理
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邑瀬 和生
大阪教養
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Fukumi K
National Inst. Advanced Industrial Sci. And Technol. Jpn
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大川 和宏
東理大応用理:jst Erato
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小堀 裕巳
阪大院理
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中山 正昭
大市大工
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西谷 輝
松下中研
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長谷川 洋
京大理
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小堀 裕巳
阪大理
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岡下 友則
阪大理
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大川 和宏
ブレーメン大固体物理研
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松下半研センター
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杉尾 晃
阪大理
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市村 暢子
大阪女子大理
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野々垣 場一
名大工
著作論文
- 29p-ZE-8 ZnO中の遷移金属による発光
- 28a-YK-7 ZnOのマイクロ波吸収とフォトルミネッセンス
- 5a-G-10 一軸性引張応力の下でのサイクロトロン共鳴
- Electron Captureに関するSpin polarization effect : 半導体 (化合物, その他)
- 28a-ZF-9 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
- 28a-YK-9 II-VI族半導体の光検知サイクロトロン共鳴II
- 2p-YJ-11 II-VI族半導体の光検知サイクロトロン共鳴
- 6a-E-5 CdTeの光検知サイクロトロン共鳴
- Cu_2Oの光学的特性とサイクロトロン共鳴.II : サイクロトロン共鳴の温度依存性
- Cu_2Oの光学的特性とサイクロトロン共鳴.I : PLおよび励起子吸収とサイクロトロン共鳴の関係
- 30p-X-7 ホモエピタキシャルInPの界面層
- 29p-X-14 SiCの光呼吸
- 28a-YM-7 InP中の電子サイクロトロン共鳴と不純物吸収
- Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
- Ge,Siのサイクロトロン共鳴に及ぼすストレス効果 : 半導体 : マイクロ波
- 3a-G-12 ポーラスSiの可視発光
- 1p-Y-9 ポーラスシリコンの光吸収と発光の励起スペクトル
- 27a-Z-4 ポーラスシリコンの発光の時間分解測定
- 28a-YM-9 GaAs中の浅い不純物による磁気光吸収 II : 吸収線幅の濃度および磁場依存性
- 3p-J-3 GaAs中の浅い不純物による磁気光吸収I : 吸収線幅の濃度および磁場依存性
- 28p-S-13 n-InSbの電気双極子誘起スピン共鳴の線幅の理論
- 化合物半導体における遠赤外光電磁効果
- 28p-S-10 ZnSe中のドナー不純物による遠赤外磁気光吸収II
- ZnSe中のドナー不純物による遠赤外磁気光吸収
- 8a-J-9 GeI_4薄膜結晶における励起子
- 28a-YM-6 Si中の金属不純物による散乱効果 III
- 3p-J-1 Si中の金属不純物による散乱効果II
- 30p-X-6 ZnSe薄膜におけるドナーの遠赤外吸収
- 中性不純物散乱におけるSpin-Polarizationの効果 : 半導体(不純物伝導)
- 3a-H-7 He^3による1°K以下でのサイクロトロン共鳴
- Si中の電子の中性化不純物散乱 : 半導体(レゾナンス)
- 30p-YN-12 高い補償比をもつ半導体の不純物吸収に関する実験と計算機シミュレーション
- 3a-J-15 高い補償比をもつGeにおける不均一な内部電場効果II
- 30p-X-5 InSbの電気双極子誘起子電子スピン共鳴.I
- 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
- 31a-S-6 InGaAsの遠赤外光検知サイクロトロン共鳴
- 31a-S-1 Ti/p-Si(001)の輸送特性と熱処理効果
- Ti/p-Si(100)の輸送特性に対する界面の効果
- 1p-F-5 遠赤外光ODCRによる化合物半導体の研究
- 不純物を含むGe,Siのサイクロトロン共鳴 : 半導体 : マイクロ波
- 31p-S-7 Cu_2Oの光学特性とサイクロトロン共鳴にに及ぼす熱処理効果