28a-YK-9 II-VI族半導体の光検知サイクロトロン共鳴II

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1998-09-05

著者

• 佐藤 和郎

  大阪府立産業技術総合研究所

• 大山 忠司

  阪大理

• 佐藤 和郎

  阪大理

• 中田 博保

  阪大理

関連論文

• 27aTC-2 GaAs基板上のInSb薄膜における電気伝導
• 29p-ZE-8 ZnO中の遷移金属による発光
• 28a-YK-7 ZnOのマイクロ波吸収とフォトルミネッセンス
• 5a-G-10 一軸性引張応力の下でのサイクロトロン共鳴
• Electron Captureに関するSpin polarization effect : 半導体 (化合物, その他)
• 光学素子作製用ポリシロキサン型電子線レジストの開発(半導体・エレクトロニクス)
• パルスレーザ堆積法による CuScO_2 デラフォサイト型酸化物薄膜の作製
• 電子サイクロトロン共鳴プラズマの照射による酸化インジウム・スズ薄膜の表面改質
• 28a-ZF-9 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
• 28a-YK-9 II-VI族半導体の光検知サイクロトロン共鳴II
• 2p-YJ-11 II-VI族半導体の光検知サイクロトロン共鳴
• 6a-E-5 CdTeの光検知サイクロトロン共鳴
• Cu_2Oの光学的特性とサイクロトロン共鳴.II : サイクロトロン共鳴の温度依存性
• Cu_2Oの光学的特性とサイクロトロン共鳴.I : PLおよび励起子吸収とサイクロトロン共鳴の関係
• 30p-X-7 ホモエピタキシャルInPの界面層
• 29p-X-14 SiCの光呼吸
• 28a-YM-7 InP中の電子サイクロトロン共鳴と不純物吸収
• 高励起超短時間物性の現状と将来 : ピコ秒パルスレーザーの物性研究への応用(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
• 23aWA-12 超伝導微細孔ネットワークに現れる周期的フラックスジャンプとLittle-Parks効果(電荷密度波・超伝導,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 23aZA-4 有限サイズ超伝導ネットワークへの磁束量子ドーピング(23aZA 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 27aXF-3 微細加工による超伝導ネットワークの作製と微小磁場中における物性(27aXF 超伝導,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 25aXL-4 有限系正方格子ネットワークの超伝導と磁束分布(Pb、Nb)(超電導・電荷密度波,領域6(金属,超低音,超電導・密度波))
• 25pPSA-83 蜂の巣格子に現れるフラックスジャンプの周期性(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 12aTM-2 Pb 蜂の巣格子の超伝導と磁束分布 II(超伝導, 領域 6)
• Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
• Ge,Siのサイクロトロン共鳴に及ぼすストレス効果 : 半導体 : マイクロ波
• 3a-G-12 ポーラスSiの可視発光
• 1p-Y-9 ポーラスシリコンの光吸収と発光の励起スペクトル
• 27a-Z-4 ポーラスシリコンの発光の時間分解測定
• 28a-YM-9 GaAs中の浅い不純物による磁気光吸収 II : 吸収線幅の濃度および磁場依存性
• 3p-J-3 GaAs中の浅い不純物による磁気光吸収I : 吸収線幅の濃度および磁場依存性
• 28p-S-13 n-InSbの電気双極子誘起スピン共鳴の線幅の理論
• 化合物半導体における遠赤外光電磁効果
• 28p-S-10 ZnSe中のドナー不純物による遠赤外磁気光吸収II
• ZnSe中のドナー不純物による遠赤外磁気光吸収
• 12aTM-1 Pb 正方格子ネットワークの超伝導と磁束分布(超伝導, 領域 6)
• 27aYD-8 Pb蜂の巣格子の超伝導と磁束分布(超伝導)(領域6)
• 8a-J-9 GeI_4薄膜結晶における励起子
• 半導体における電子正孔液体(1975年度物性若手「夏の学校」開催後記)
• 28a-YM-6 Si中の金属不純物による散乱効果 III
• 3p-J-1 Si中の金属不純物による散乱効果II
• 20aTG-6 超伝導 Nb 微細孔格子のボルテックス観測
• 30p-X-6 ZnSe薄膜におけるドナーの遠赤外吸収
• 中性不純物散乱におけるSpin-Polarizationの効果 : 半導体(不純物伝導)
• 3a-H-7 He^3による1°K以下でのサイクロトロン共鳴
• Si中の電子の中性化不純物散乱 : 半導体(レゾナンス)
• 30p-YN-12 高い補償比をもつ半導体の不純物吸収に関する実験と計算機シミュレーション
• 3a-J-15 高い補償比をもつGeにおける不均一な内部電場効果II
• 平板グレーティングレンズを用いた小型分光結像デバイス
• 平板グレーティングレンズを用いた小型分光結像デバイス
• 平板グレーティングレンズを用いた小型分光結像デバイス
• 平板グレーティングレンズを用いた小型分光結像デバイス
• 30p-X-5 InSbの電気双極子誘起子電子スピン共鳴.I
• 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
• レーザ堆積法を用いたMgドープCuScO_2(0001)薄膜の作製
• 13aPS-40 微細加工サンプルのための SQUID 顕微鏡観察(低温 : 超伝導・金属絶縁体転移, 領域 8)
• 31a-S-6 InGaAsの遠赤外光検知サイクロトロン共鳴
• 31a-S-1 Ti/p-Si(001)の輸送特性と熱処理効果
• Ti/p-Si(100)の輸送特性に対する界面の効果
• 1p-F-5 遠赤外光ODCRによる化合物半導体の研究
• 不純物を含むGe,Siのサイクロトロン共鳴 : 半導体 : マイクロ波
• 31p-S-7 Cu_2Oの光学特性とサイクロトロン共鳴にに及ぼす熱処理効果

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク