光学素子作製用ポリシロキサン型電子線レジストの開発(<特集>半導体・エレクトロニクス)
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概要
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Electron beam lithography is a highly flexible method to fabricate micro-optical elements. However, the long exposure time is the largest problem, which derived from the lack of the sensitivity in electron beam resist. Instead of conventional carbon-based resists, physical properties of polydimethylsiloxane (PDMS) and poly [dimethylsiloxaneco-methylvinylsiloxane](PMVS) for electron beam were investigated. As a result, these polysiloxanes exhibited a much higher sensitivity of 1.5 and 0.9μC/cm^2, respectively and adequate γ value of 1.3. We succeeded in fabricating a four-level computer generated hologram on a glass substrate with ITO film using PMVS in 1/10 exposure time compared with conventional resists.
- 社団法人日本材料学会の論文
- 2003-12-15
著者
-
鈴木 義彦
大阪府立産業技術総合研究所
-
鈴木 義彦
独立行政法人科学技術振興機構 研究成果活用プラザ大阪
-
佐藤 和郎
大阪府立産業技術総合研究所
-
四谷 任
阪府大ナノ研
-
櫻井 芳昭
大阪府立産業技術総合研究所
-
佐藤 和郎
大阪府産技研
-
福田 宏輝
大阪府立産業技術総合研究所
-
四谷 任
大阪府立産業技術総合研究所
-
櫻井 芳昭
大阪府産業技術総合研
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