長谷川 洋 | 京大理
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概要
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花村 栄一
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橋爪 夏樹
お茶の水女子大学理学部物理学教室
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橋爪 夏樹
お茶の水女子大学理学部物理教室
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近藤 啓二
京大・理
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長谷川 洋
Department Of Physics Kyoto University
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沢田 信一
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久保 亮五
東京大学理学部
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中村 充伸
京大理
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高純度化研
著作論文
- 第11回原子物理学国際会議
- 30p-BA-8 磁場中水素原子のランダム・ダイナミックス
- 2a-J-7 レーザーFokker-Planck方程式の変分法による解法
- 3a GR-3 光学的二重安定状態の定常分布及び熱力学的性質
- 4p-B-12 変分法によるレーザー・超放射の確率分布 II
- 4p-B-11 変分法によるレーザー・超放射の確率分布 I
- マルコフ過程の変分原理とOnsager原理について(「統計力学の数学的問題」,基研研究会報告)
- 超放射における非平衡性(Bethe格子,基研研究会報告)
- 12p-H-10 平衡状態への接近に関する変分原理
- 20L-3 強磁場における電流磁気効果
- Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
- 4p-WB-3 P型半導体ピエゾ抵抗効果の理論.II.
- 8p-L-2 強磁場に於けるExcitonの一般論
- 8p-F-3 GeのexcitonによるFaraday rotationの理論 II.
- Cu_2Oの光吸収に於ける応力,Zeeman効果 : 半導体(Si, Ge)
- F. Seitz and D. Turnbull編: Solid State Physics Vol. 14, Academic Press Inc., New York,. London 1962, 519頁, 16×24cm, $16.00 / Yako Yafet: g Factors and Spin-Lattice Relaxation of Conduction Electrons.
- 7p-A-9 Si,Geアクセプタのゼーマン効果
- Si中アクセプタのゼーマン効果 : 半導体
- 反磁性を利用して固体のエネルギー帯を決める方法
- 19A-7 dilute Cu-Mn合金の反強磁性共鳴
- 6C6 galvano-magnetic効果に現れた振動効果
- 6C5 Biのgalvanomagnetic効果 III
- 17A-15 強磁場に於ける電気傳導
- 極低温でのgalvanomagnetic効果
- Biの極低温でのホール効果II : 極低温
- 1a-TC-8 不純物帯の理論 II.電子温度
- 1a-TC-7 不純物帯の理論 I.光学的性質
- 強磁場下における不純物帯伝導 : 半導体 (下純物)
- 強磁場におけるExcitonの理論II : CdSの解析 : イオン結晶光物性 : 光学的性質I
- 量子準位の運動と曲率分布(基研短期研究会『少数多体系における量子カオスと関連する諸問題』,研究会報告)
- 11p-H-9 H-定理とOnsager公式
- 非周期電子系の光学的性質(「励起子」,研究会報告)
- 2a-TB-2 磁場中の局在状態
- 非周期系の函数論と数値実験(モレキュール型研究計画,第46回研究部員会議(2月27日、28日)資料,研究会報告)
- 不純物帯のSum RuleとTailingについて II : 物性基礎論・統計力学
- 4a-L-6 交換相互作用による励起子スペクトルの応力-偏光分裂
- 3a-N-3 ランダウ準位とリドバーグ系列の共存
- 13p-P-7 伝導電子系に関する非線型光学の理論Iランダウ準位間のラマン散乱
- 13a-K-9 InSbの不純物帯の磁場freege out 効果
- 不純物励起子の理論
- 4a-C-3 Impurity Excitonの一理論
- Bok教授の講義要約 Plasma and Magneto-plasma Phenomena in Sold State Optics(第二回国際夏の学校に関する報告)
- 強磁場中の励起子 IV : 励起子帯の磁場変化 : イオン結晶・光物性 : 基礎吸収
- 強磁場におけるExciton III : 二次元半導体の場合 : 光物性・イオン結晶
- 6p-G-2 バンドの連結と電場磁場効果
- 3a-D1-5 p-Siのピエゾ抵抗効果の理論(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)