7p-A-9 Si,Geアクセプタのゼーマン効果

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1963-04-04

著者

• 岡崎 誠

  東大工

• 鈴木 勝久

  東芝中研

• 長谷川 洋

  京大理

• 長谷川 洋

  東大理

関連論文

• 第11回原子物理学国際会議
• 30p-BA-8 磁場中水素原子のランダム・ダイナミックス
• 2a-J-7 レーザーFokker-Planck方程式の変分法による解法
• 3a GR-3 光学的二重安定状態の定常分布及び熱力学的性質
• 4p-B-12 変分法によるレーザー・超放射の確率分布 II
• 4p-B-11 変分法によるレーザー・超放射の確率分布 I
• マルコフ過程の変分原理とOnsager原理について(「統計力学の数学的問題」,基研研究会報告)
• 超放射における非平衡性(Bethe格子,基研研究会報告)
• 12p-H-10 平衡状態への接近に関する変分原理
• 20L-3 強磁場における電流磁気効果
• Quantum Lines of Stress-split Hole of Ge : 半導体(レゾナンス)
• 6p-F-11 p-Siの奇妙な異方性(完)
• 6p-F-10 p-Siの奇妙な異方性(9) : 有限磁場下伝導度の計算と異方性の符号反転
• p-Siの奇妙な異方性(8) : non-parabolic warped energy surfaceと電導度tensor : 半導体(Si, Ge)
• p-Siの奇妙な異方性(7) Transverse Magnetoresistance : 半導体(Si, Ge)
• p-Siの奇妙な異方性(6) : 等エネルギ面の展開と伝導度テンソル(半導体(電流,磁気,歪))
• p-Siの奇妙な異方性(5) : N_A濃度依存性(半導体(電流,磁気,歪))
• 6a-A-7 P型Siの奇妙な異方性(4) : 模型的エネルギ面による伝導度テンソル
• 4p-WB-3 P型半導体ピエゾ抵抗効果の理論.II.
• 8p-L-2 強磁場に於けるExcitonの一般論
• 8p-F-3 GeのexcitonによるFaraday rotationの理論 II.
• Cu_2Oの光吸収に於ける応力,Zeeman効果 : 半導体(Si, Ge)
• F. Seitz and D. Turnbull編: Solid State Physics Vol. 14, Academic Press Inc., New York,. London 1962, 519頁, 16×24cm, $16.00 / Yako Yafet: g Factors and Spin-Lattice Relaxation of Conduction Electrons.
• 7p-A-9 Si,Geアクセプタのゼーマン効果
• Si中アクセプタのゼーマン効果 : 半導体
• 反磁性を利用して固体のエネルギー帯を決める方法
• 19A-7 dilute Cu-Mn合金の反強磁性共鳴
• 6C6 galvano-magnetic効果に現れた振動効果
• 6C5 Biのgalvanomagnetic効果 III
• 17A-15 強磁場に於ける電気傳導
• 極低温でのgalvanomagnetic効果
• Biの極低温でのホール効果II : 極低温
• 5a-R-5 非晶質物質の電子状態のクラスタ理論 II
• 1a-TC-8 不純物帯の理論 II.電子温度
• 1a-TC-7 不純物帯の理論 I.光学的性質
• 強磁場下における不純物帯伝導 : 半導体 (下純物)
• 7p-L-17 不規則系アンダーソン・モデルにおける局在性の計算機実験II
• 12p-W-1 非晶質物質の電子状態のクラスタ理論
• 固体の基礎吸収帯に現れるバンド構造と局所構造V : 光物性・イオン結晶
• 固体の基礎吸収帯に現れるバンド構造と局所構造IV : 光物性・イオン結晶
• 固体の基礎吸収帯に現れるバンド構造と局所構造II : 光物性・イオン結晶
• 固体の基礎吸収帶に現われるバンド構造と局所構造II : イオン結晶・光物性
• 固体の基礎吸収帶にあらわれるバンド構造と局所構造(I) : イオン結晶・光物性
• 半導体, 絶縁体の光学的性質とバンド構造
• N.H.March編 : Orbital Theories of Molecules and Solids, Clarendon Press, Oxford, 1974, 385ページ, 24×16cm, 9,700円
• C.J. Bradley and A.P. Cracknell: The Mathematieal Theory of Symmetry in Solids. Representation Theory for Point Groups and Space Groups, Clarendon Press, 1972, 745 ページ, 25.5×19.5cm, 28,840 円
• 固体内の局在励起に関する国際会議に出席して
• J. Tauc編: The Optical Propertics of Solids: Proceedings of the International School of Physics "Enrico Fermi", 34, Academic Press, New York and London, 1967, 434頁, 18×25cm, $22.00.
• F. Seitz and D. Turnbull編: Solid State Physics, vol. 18, Academic Press, New York and London, 1966, 435頁, 15×23cm, 6,600円. : 3. A. Nussbaum: Crystal Symmetry, Group Theory, and Band Structure Calculation, 165〜272頁.
• 8p-F-2 ゲルマニウム基礎吸收域に於けるFaraday回転I
• Si,Ge中アクセプタのゼーマン効果II(半導体(スピンレゾナンス))
• Leonid V. Azaroff and James J. Brophy: Electronic Processes in Materials, McGraw-Hill Book Company, New York 1963, 16×24cm $10.75
• Geの正孔のサイクロトロン共鳴
• 24p-S-3 遷移金属の超伝導における電子相関効果
• 強磁場におけるExcitonの理論II : CdSの解析 : イオン結晶光物性 : 光学的性質I
• 量子準位の運動と曲率分布(基研短期研究会『少数多体系における量子カオスと関連する諸問題』,研究会報告)
• 11p-H-9 H-定理とOnsager公式
• 非周期電子系の光学的性質(「励起子」,研究会報告)
• 2a-TB-2 磁場中の局在状態
• 非周期系の函数論と数値実験(モレキュール型研究計画,第46回研究部員会議(2月27日、28日)資料,研究会報告)
• 不純物帯のSum RuleとTailingについて II : 物性基礎論・統計力学
• 4a-L-6 交換相互作用による励起子スペクトルの応力-偏光分裂
• 3a-N-3 ランダウ準位とリドバーグ系列の共存
• 13p-P-7 伝導電子系に関する非線型光学の理論Iランダウ準位間のラマン散乱
• 13a-K-9 InSbの不純物帯の磁場freege out 効果
• 不純物励起子の理論
• 4a-C-3 Impurity Excitonの一理論
• 6a-A-6 P型Siの奇妙な異方性(3) : 価電帯のnon-parabolicity
• 6a-A-5 P型Siの奇妙な異方性(2) : 温泉効果
• Bok教授の講義要約 Plasma and Magneto-plasma Phenomena in Sold State Optics(第二回国際夏の学校に関する報告)
• 強磁場中の励起子 IV : 励起子帯の磁場変化 : イオン結晶・光物性 : 基礎吸収
• 強磁場におけるExciton III : 二次元半導体の場合 : 光物性・イオン結晶
• 6p-G-2 バンドの連結と電場磁場効果
• 7a-L-11 Si p-n接合のmicroplasma III
• 14p-A-8 Si p-n接合のmicroplasma II
• 半導体のファラデー効果
• 3a-D1-5 p-Siのピエゾ抵抗効果の理論(3a D1 半導体(輸送現象・ホットエレクトロン),半導体)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク