p-Siの奇妙な異方性(8) : non-parabolic warped energy surfaceと電導度tensor : 半導体(Si, Ge)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1964-04-06

著者

• 前田 甫

  東芝中研

• 宮沢 久雄

  東芝中研

• 鈴木 勝久

  東芝中研

関連論文

• もし自分が大学院学生であったなら
• 物理学会の制度検討について
• Si-p型反転層内キャリアの質量異方性 : 半導体
• n-InSbのCarrien freeze-out効果に対するscreeningの影響 : 半導体(不純物伝導)
• 高温に於けるGaAsのmobility : 半導体(不純物伝導)
• 6p-H-13 n-InSbのcarrier freeze-out効果の磁場による変化
• 3a-H-9 p-GeのHall効果とBand Warping
• 14a-K-14 強電場弱磁場下の電子の運動量分布
• 二担体系の強電場効果 : 濃度比 : 半導体 : 雑
• 強電場下P-Geにおけるlight holeの寄与低下(IV) : 半導体(輸送)
• 強電場下P-Geにおけるlight holeの寄与低下(III) : 半導体(輸送)
• 強電場下p-Geにおけるlightholeの寄与低下(II) : 半導体 : 輸送
• 強電場下p-Geにおけるlightholeの寄与低下(I) : 半導体 : 輸送
• 6p-F-11 p-Siの奇妙な異方性(完)
• 6p-F-10 p-Siの奇妙な異方性(9) : 有限磁場下伝導度の計算と異方性の符号反転
• p-Siの奇妙な異方性(8) : non-parabolic warped energy surfaceと電導度tensor : 半導体(Si, Ge)
• p-Siの奇妙な異方性(7) Transverse Magnetoresistance : 半導体(Si, Ge)
• p-Siの奇妙な異方性(6) : 等エネルギ面の展開と伝導度テンソル(半導体(電流,磁気,歪))
• p-Siの奇妙な異方性(5) : N_A濃度依存性(半導体(電流,磁気,歪))
• n-Ge中間濃度領域不純物伝導のマイクロ波特性(半導体(不純物伝導))
• 6a-A-7 P型Siの奇妙な異方性(4) : 模型的エネルギ面による伝導度テンソル
• 8p-F-3 GeのexcitonによるFaraday rotationの理論 II.
• Cu_2Oの光吸収に於ける応力,Zeeman効果 : 半導体(Si, Ge)
• 7p-A-9 Si,Geアクセプタのゼーマン効果
• Si中アクセプタのゼーマン効果 : 半導体
• 半導体国際会議 (1966) の報告
• 半導体をめぐって
• 座談会 : 社会に出た物理屋 社会に出る物理屋
• Si,Ge中アクセプタのゼーマン効果II(半導体(スピンレゾナンス))
• 6p-F-13 p-InSb電流磁気効果の異方性 (3)
• p-InSb電流磁気効果の異方性(半導体(電流,磁気,歪))
• 4p-G-11 n-InSbの非線形電気伝導(II)
• 4p-G-10 n-InSbの非線形電気伝導(I)
• 年会,分科会のあり方について
• p型Geのストリーミング現象 : 半導体 (下純物)
• 10a-A-9 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3,1/2/3の法則(III) : Warped Sphereの場合
• 10a-A-8 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3, 1/2/3の法則(II) : Many-Valleyの場合
• 10a-A-7 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3,1/2/3の法則(I)
• 6a-A-6 P型Siの奇妙な異方性(3) : 価電帯のnon-parabolicity
• 6a-A-5 P型Siの奇妙な異方性(2) : 温泉効果
• p-Ge (Zn or Cu+Sb) のnon-ohmic特性 : 半導体
• 4a-L-11 低温におけるGeのbreakdown的特性(I)
• 半導体実験
• 12p-A-4 クライオサ現象と熱い電子
• 低温におけるGeのbreakdown : 低温における半導体の電気的性質シンポジウム
• p-Ge Hall係数の低温における符号反転 : 半導体
• p-Geの低温におけるbreakdown II : 半導体
• p-Geの低温におけるbreakdown I : 半導体
• 4a-L-10 Geの転位と核磁気共鳴
• 2a-L-7 n型Geホール係数の磁場依存性(IV)
• 9a-M-3 n型Geホール係数の磁場依存性(III)
• 9a-M-2 n型Geホール係数の磁場依存性(II)
• 7a-L-11 Si p-n接合のmicroplasma III
• 14p-A-8 Si p-n接合のmicroplasma II
• 半導体のファラデー効果
• 6p-F-9 Differential MethodによるP-Geの不純物補償度の決定
• Albert C. Beer: Galvanomagnetic Effects in Semiconductors. Solid State Physics, Supplement 4, Academic Press, New York, London 1963, 418頁, 25×17cm, 5,400円.
• p-InSb電流磁氣効果の異方性(2) : 半導体(Si, Ge)
• Differential Method : A New Technique to determine the Anisotropy and the Field Dependence of Galvanomagnetic Effect(半導体(電流,磁気,歪))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク