4a-L-10 Geの転位と核磁気共鳴
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1960-04-02
著者
関連論文
- 遷移金属の核磁気共鳴
- 物理学会の制度検討について
- Si-p型反転層内キャリアの質量異方性 : 半導体
- n-InSbのCarrien freeze-out効果に対するscreeningの影響 : 半導体(不純物伝導)
- 高温に於けるGaAsのmobility : 半導体(不純物伝導)
- 6p-H-13 n-InSbのcarrier freeze-out効果の磁場による変化
- 3a-H-9 p-GeのHall効果とBand Warping
- 14a-K-14 強電場弱磁場下の電子の運動量分布
- 二担体系の強電場効果 : 濃度比 : 半導体 : 雑
- 強電場下P-Geにおけるlight holeの寄与低下(IV) : 半導体(輸送)
- 強電場下P-Geにおけるlight holeの寄与低下(III) : 半導体(輸送)
- 強電場下p-Geにおけるlightholeの寄与低下(II) : 半導体 : 輸送
- 強電場下p-Geにおけるlightholeの寄与低下(I) : 半導体 : 輸送
- 6p-F-11 p-Siの奇妙な異方性(完)
- 6p-F-10 p-Siの奇妙な異方性(9) : 有限磁場下伝導度の計算と異方性の符号反転
- p-Siの奇妙な異方性(8) : non-parabolic warped energy surfaceと電導度tensor : 半導体(Si, Ge)
- p-Siの奇妙な異方性(7) Transverse Magnetoresistance : 半導体(Si, Ge)
- p-Siの奇妙な異方性(6) : 等エネルギ面の展開と伝導度テンソル(半導体(電流,磁気,歪))
- p-Siの奇妙な異方性(5) : N_A濃度依存性(半導体(電流,磁気,歪))
- n-Ge中間濃度領域不純物伝導のマイクロ波特性(半導体(不純物伝導))
- 6a-A-7 P型Siの奇妙な異方性(4) : 模型的エネルギ面による伝導度テンソル
- 半導体をめぐって
- 座談会 : 社会に出た物理屋 社会に出る物理屋
- p型Geのストリーミング現象 : 半導体 (下純物)
- 10a-A-9 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3,1/2/3の法則(III) : Warped Sphereの場合
- 10a-A-8 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3, 1/2/3の法則(II) : Many-Valleyの場合
- 10a-A-7 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3,1/2/3の法則(I)
- 半導体の異方性効果 : n-Geを中心として
- 6a-A-6 P型Siの奇妙な異方性(3) : 価電帯のnon-parabolicity
- 6a-A-5 P型Siの奇妙な異方性(2) : 温泉効果
- p-Ge (Zn or Cu+Sb) のnon-ohmic特性 : 半導体
- 4a-L-11 低温におけるGeのbreakdown的特性(I)
- 半導体実験
- 12p-A-4 クライオサ現象と熱い電子
- 低温におけるGeのbreakdown : 低温における半導体の電気的性質シンポジウム
- p-Ge Hall係数の低温における符号反転 : 半導体
- p-Geの低温におけるbreakdown II : 半導体
- p-Geの低温におけるbreakdown I : 半導体
- 4a-L-10 Geの転位と核磁気共鳴
- 2a-L-7 n型Geホール係数の磁場依存性(IV)
- 9a-M-3 n型Geホール係数の磁場依存性(III)
- 9a-M-2 n型Geホール係数の磁場依存性(II)
- 5a-L-3 核磁気共鳴と金属間化合物半導体
- In_2Se_3の相転移 : 半導体(実験)
- 学会講演のしゃべり方 : Darrow博士の11誡
- 29A-10 Cd Sの格子易動度(誘導体)