p-InSb電流磁気効果の異方性(半導体(電流,磁気,歪))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1963-10-13

著者

• 宮沢 久雄

  東芝中研

• 大村 八通

  東芝総研

• 大村 八通

  東芝中研

関連論文

• もし自分が大学院学生であったなら
• 10p-U-2 プロトン照射でできるdeep acceptorのエネルギー準位と空間分布
• 30a-U-4 水素イオン照射による Si 中ドナー生成と焼鈍特性
• 2a-A-2 プロトン照射によるSi中のドナーの生成
• イオン打込みSi層の電気的性質 : 荷電ビームと応用
• 6p-H-13 n-InSbのcarrier freeze-out効果の磁場による変化
• 3a-H-9 p-GeのHall効果とBand Warping
• 強電場下P-Geにおけるlight holeの寄与低下(IV) : 半導体(輸送)
• 強電場下P-Geにおけるlight holeの寄与低下(III) : 半導体(輸送)
• 強電場下p-Geにおけるlightholeの寄与低下(II) : 半導体 : 輸送
• 強電場下p-Geにおけるlightholeの寄与低下(I) : 半導体 : 輸送
• 6p-F-11 p-Siの奇妙な異方性(完)
• 6p-F-10 p-Siの奇妙な異方性(9) : 有限磁場下伝導度の計算と異方性の符号反転
• p-Siの奇妙な異方性(8) : non-parabolic warped energy surfaceと電導度tensor : 半導体(Si, Ge)
• p-Siの奇妙な異方性(7) Transverse Magnetoresistance : 半導体(Si, Ge)
• p-Siの奇妙な異方性(6) : 等エネルギ面の展開と伝導度テンソル(半導体(電流,磁気,歪))
• p-Siの奇妙な異方性(5) : N_A濃度依存性(半導体(電流,磁気,歪))
• 6a-A-7 P型Siの奇妙な異方性(4) : 模型的エネルギ面による伝導度テンソル
• 半導体国際会議 (1966) の報告
• 半導体をめぐって
• 3a-H-8 InSb正孔の磁気準位とサイクロトロン共鳴
• 2p-C-8 Corundum上のSi蒸着膜の成長
• 5a-G-6 閃亜鉛鉱型半導体正孔のサイクロトロンの共鳴
• O. Madelung: Physics of III-V Compounds, John Wiley & Sons, Inc., New York, 1964, 409頁, 24×16cm, 5200円.
• p-InSb電流磁気効果の異方性(4) : 可能な等エネルギー面 : 半導体 : 輸送
• 6p-F-13 p-InSb電流磁気効果の異方性 (3)
• p-InSb電流磁気効果の異方性(半導体(電流,磁気,歪))
• InSbの比熱 : 半導体
• 6a-L-4 不純物を入れたInSbの電気的性質 (I)Cu,Ag,Au
• 6a-L-3 InSbの不純物準位への圧力の影響
• 13p-A-4 InSb p-n junctionの高圧下の特性
• 13p-A-3 p型InSbの低温に於る熱起電力
• 4p-G-11 n-InSbの非線形電気伝導(II)
• 4p-G-10 n-InSbの非線形電気伝導(I)
• 年会,分科会のあり方について
• 10a-A-8 Cubic Semiconductorの異方性に対する4/3, 1/2/3の法則(II) : Many-Valleyの場合
• 6a-A-6 P型Siの奇妙な異方性(3) : 価電帯のnon-parabolicity
• p-Ge (Zn or Cu+Sb) のnon-ohmic特性 : 半導体
• 6p-F-9 Differential MethodによるP-Geの不純物補償度の決定
• Albert C. Beer: Galvanomagnetic Effects in Semiconductors. Solid State Physics, Supplement 4, Academic Press, New York, London 1963, 418頁, 25×17cm, 5,400円.
• p-InSb電流磁氣効果の異方性(2) : 半導体(Si, Ge)
• Differential Method : A New Technique to determine the Anisotropy and the Field Dependence of Galvanomagnetic Effect(半導体(電流,磁気,歪))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク