13p-A-3 p型InSbの低温に於る熱起電力

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1961-10-09

著者

• 大村 八通

  東芝総研

• 大村 八通

  東芝中研

関連論文

• 10p-U-2 プロトン照射でできるdeep acceptorのエネルギー準位と空間分布
• 30a-U-4 水素イオン照射による Si 中ドナー生成と焼鈍特性
• 2a-A-2 プロトン照射によるSi中のドナーの生成
• イオン打込みSi層の電気的性質 : 荷電ビームと応用
• 3a-H-8 InSb正孔の磁気準位とサイクロトロン共鳴
• 2p-C-8 Corundum上のSi蒸着膜の成長
• 5a-G-6 閃亜鉛鉱型半導体正孔のサイクロトロンの共鳴
• O. Madelung: Physics of III-V Compounds, John Wiley & Sons, Inc., New York, 1964, 409頁, 24×16cm, 5200円.
• p-InSb電流磁気効果の異方性(4) : 可能な等エネルギー面 : 半導体 : 輸送
• 6p-F-13 p-InSb電流磁気効果の異方性 (3)
• p-InSb電流磁気効果の異方性(半導体(電流,磁気,歪))
• InSbの比熱 : 半導体
• 6a-L-4 不純物を入れたInSbの電気的性質 (I)Cu,Ag,Au
• 6a-L-3 InSbの不純物準位への圧力の影響
• 13p-A-4 InSb p-n junctionの高圧下の特性
• 13p-A-3 p型InSbの低温に於る熱起電力

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク