30a-U-4 水素イオン照射による Si 中ドナー生成と焼鈍特性

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 1971-09-30

著者

• 造田 安民

  東芝総研

• 大村 八通

  東芝総研

• 金沢 守

  東芝総研

• 酒井 孝男

  東芝半導体

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