造田 安民 | 東芝総研
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概要
関連著者
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造田 安民
東芝総研
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江沢 洋
学習院大理
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大村 八通
東芝総研
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中村 孔一
明大和泉校舎
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金沢 守
東芝総研
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野津 哲郎
東芝総研
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小原 正生
東芝総研
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小原 正生
東芝 研究開発センター
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造田 安民
東芝 総研
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造田 安民
東京工科大学
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津田 邦男
東芝研究開発センター
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棚本 哲史
(株)東芝研究開発センター
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野津 哲郎
東芝研究開発センター
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棚本 哲史
東芝総研
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津田 邦男
東芝総研
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酒井 孝男
東芝半導体
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酒井 孝雄
東芝半導体
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大村 八通
東芝中研
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谷田 和雄
東芝中研
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造田 安民
東芝中研
著作論文
- 26a-ZG-8 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響
- 26p-ZJ-7 共鳴トンネル効果における非弾性散乱の影響
- 27p-B-14 共鳴トンネルに対する非弾性散乱の影響 : 光学ポテンシャルを使ったときの注意II
- 30p-ZK-7 共鳴トンネルに対する非弾性散乱の影響 : 光学ポテンシャルを使ったときの注意
- 2p-D-5 ランダムに分布した不純物の共鳴トンネルへの影響
- 30a-Z-5 ファインマン経路積分法による共鳴トンネルの考察 III
- 3a-C-2 ファインマン経路積分法による共鳴トンネルの考察 II
- 3a-C-1 ファインマン経路積分法による共鳴トンネルの考察 I
- 10p-U-2 プロトン照射でできるdeep acceptorのエネルギー準位と空間分布
- 30a-U-4 水素イオン照射による Si 中ドナー生成と焼鈍特性
- 2a-A-2 プロトン照射によるSi中のドナーの生成
- イオン打込みSi層の電気的性質 : 荷電ビームと応用
- 半導体の接合容量を用いた不純物濃度の測定 (計測特集号)
- 2p-L1-3 結合された二つの井戸の量子準位の共鳴トンネル分光(半導体,(表面・界面・超格子))