津田 邦男 | 東芝研究開発センター
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概要
関連著者
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津田 邦男
東芝研究開発センター
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津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
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Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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松下 景一
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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川崎 久夫
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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高木 一考
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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川崎 久夫
(株)東芝社会ネットワークインフラ社小向工場
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Kawasaki Hisao
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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増田 和俊
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
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増田 和俊
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
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Takagi Kazutaka
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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増田 和俊
東芝 社会システム社 小向工場
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桜井 博幸
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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高塚 眞治
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
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Takatsuka Shinji
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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Sakurai Hiroyuki
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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Matsushita Keiichi
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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柏原 康
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
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松下 景一
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
川崎 久夫
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
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松下 景一
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
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柏原 康
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
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大村 一郎
東芝セミコンダクター社
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大村 一郎
九州工業大学
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齋藤 渉
東芝セミコンダクター社
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大村 一郎
株式会社 東芝
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
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Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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高木 一考
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
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桜井 博幸
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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広瀬 真由美
(株)東芝 研究開発センター
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広瀬 真由美
東芝研究開発センター
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Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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土門 知一
東芝ビジネス＆ライフサービス
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鈴木 拓馬
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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土門 知一
東芝ビジネス&ライフサービス
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Suzuki Takuma
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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齋藤 泰伸
東芝セミコンダクター社
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山口 正一
東芝セミコンダクター社
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小野寺 賢
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
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山口 正一
株式会社 東芝
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山口 正一
(株)東芝セミコンダクター社
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齋藤 泰伸
東芝
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鈴木 隆
東芝研究開発センター
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沈 正七
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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広瀬 真由美
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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鈴木 隆
(株)東芝研究開発センター
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沈 正七
東芝社会ネットワークインフラ社 小向工場 マイクロ波技術部
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新田 智洋
東芝セミコンダクター社
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垣内 頼人
東芝セミコンダクター社
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寺本 信一郎
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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Masuda Kazutoshi
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
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Takatsuka Shinji
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
-
Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
-
Suzuki Takuma
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
-
Suzuki Takashi
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
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Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
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高木 重徳
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
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桜井 博幸
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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松下 景一
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
増田 和俊
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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高塚 眞治
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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鈴木 拓馬
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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川崎 久夫
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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高木 一考
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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小原 正生
東芝 研究開発センター
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齋藤 渉
東芝
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大村 一郎
東芝 セミコンダクター社
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津田 邦男
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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山口 正一
東芝
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新田 智洋
東芝
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垣内 頼人
東芝
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造田 安民
東京工科大学
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棚本 哲史
(株)東芝研究開発センター
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野津 哲郎
東芝研究開発センター
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小原 正生
東芝研究開発センター
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野田 隆夫
東芝
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高田 賢治
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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蔵口 雅彦
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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高木 一孝
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
Teramoto J.
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
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棚本 哲史
東芝研究開発センター
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浩田 安民
東芝研究開発センター
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造田 安民
東芝総研
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棚本 哲史
東芝総研
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野津 哲郎
東芝総研
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津田 邦男
東芝総研
-
小原 正生
東芝総研
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津田 邦男
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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栗山 保彦
(株)東芝材料・デバイス研究所
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湯元 美樹
東芝研究開発センター
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栗山 保彦
東芝研究開発センター、材料デバイス研究所
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杉山 亨
東芝研究開発センター
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飯塚 紀夫
東芝研究開発センター
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浅香 正行
東芝研究開発センター
-
杉山 亨
(株)東芝材料・デバイス研究所
-
Teramoto J.
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
沈 正七
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
著作論文
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの基板オフ角依存(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 30p-N-7 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響II
- 26a-ZG-8 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響
- AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
- GaN系MISFETの開発(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 低ベース抵抗, 高fmax AlGaAs/GaAs HBT
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
- CS-9-4 電源用GaNパワーデバイス(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)