Hirose Mayumi | Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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概要
関連著者
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広瀬 真由美
(株)東芝 研究開発センター
-
広瀬 真由美
東芝研究開発センター
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Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
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津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
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Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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鈴木 隆
東芝研究開発センター
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鈴木 隆
(株)東芝研究開発センター
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松下 景一
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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Takagi Kazutaka
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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津田 邦男
東芝研究開発センター
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桜井 博幸
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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川崎 久夫
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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高木 一考
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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増田 和俊
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
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高塚 眞治
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
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鈴木 拓馬
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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津田 邦男
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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Suzuki Takuma
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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Kawasaki Hisao
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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増田 和俊
東芝 社会システム社 小向工場
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Takatsuka Shinji
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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Sakurai Hiroyuki
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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内富 直隆
(株)東芝研究開発センター
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広瀬 真由美
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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増田 和俊
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
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佐々木 忠寛
(株)東芝研究開発センター
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川崎 久夫
(株)東芝社会ネットワークインフラ社小向工場
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北浦 義昭
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
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北浦 義昭
(株)東芝研究開発センター
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高田 賢治
(株)東芝 研究開発センター
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Matsushita Keiichi
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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北浦 義昭
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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Masuda Kazutoshi
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
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Takatsuka Shinji
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
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Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
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Suzuki Takuma
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
-
Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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蔵口 雅彦
(株)東芝 研究開発センター
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鈴木 隆
(株)東芝 研究開発センター
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津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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佐々木 忠寛
(株)東芝 研究開発センター
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沈 正七
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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寺本 信一郎
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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Suzuki Takashi
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
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桜井 博幸
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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松下 景一
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
増田 和俊
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高塚 眞治
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
鈴木 拓馬
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
川崎 久夫
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高木 一考
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
沈 正七
東芝社会ネットワークインフラ社 小向工場 マイクロ波技術部
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内富 直隆
東芝研究開発センター
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佐々木 忠寛
東芝研究開発センター
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北浦 義昭
東芝研究開発センター
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西堀 一弥
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 マイクロ波事業開発部
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亀山 敦
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 研究開発センター
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亀山 敦
東芝セミコンダクター社
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前田 忠彦
東芝研究開発センターulsi研究所
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大高 章二
(株)東芝研究開発センター
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長岡 正見
(株)東芝 研究開発センター
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亀山 敦
(株)東芝研究開発センター
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三原 正勝
(株)東芝研究開発センター
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加屋野 博幸
東芝研究開発センター
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田邊 芳一
(株)東芝研究開発センター
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長岡 正見
(株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部
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梅田 俊之
(株)東芝研究開発センター
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梅田 俊之
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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脇本 啓嗣
(株)東芝研究開発センター
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田辺 芳一
東芝研究開発センター
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新田 智洋
東芝研究開発センター
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三原 正勝
東芝研究開発センター
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垣内 頼人
東芝研究開発センター
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吉村 操
東芝研究開発センター
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藤枝 一也
東芝研究開発センター
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大高 章二
東芝研究開発センターULSI研究所
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梅田 俊之
東芝研究開発センターULSI研究所
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西堀 一弥
東芝研究開発センターULSI研究所
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亀山 敦
東芝研究開発センターULSI研究所
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吉村 操
(株)東芝研究開発センター
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高木 一考
(株)東芝
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新田 智洋
東芝
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垣内 頼人
東芝
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松下 景一
(株)東芝社会システム社
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TAKADA Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
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SAKURAI Hiroyuki
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
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MATSUSHITA Keiichi
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
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SUZUKI Takashi
Toshiba Corporation
著作論文
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- SC-10-2 電力付加効率の計算精度を高めたGaAsFET大信号モデル
- SC-10-2 電力付加効率の計算精度を高めたGaAs FET大信号モデル
- セルフアライン型GaAsMESFETの大信号モデル
- W-CDMA用Self-Aligned Gate PHEMTの高線形特性
- PHS用P-pocket型GaAs MESFETの低電圧下のパワー特性
- 1.9GHzダイレクトコンバージョン方式による 可変減衰器付直交変調器
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- GaN系MISFETの開発(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- アンドープAlGaN/GaN HEMTを用いた1.9GHz動作SPDTスイッチ
- C-10-12 AlGaN/GaN HEMTを用いた5W出力1.9GHz動作SPDTスイッチ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- AlGaN/GaN HEMT構造におけるオーミック接触抵抗への自発分極およびピエゾ分極の効果
- AlGaN/GaN HEMT構造におけるオーミック接触抵抗への自発分極およびピエゾ分極の効果
- C-10-6 オーミック電極の接触抵抗低減によるKa帯GaN HEMTパワー特性の改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-band AlGaN/GaN HEMTs with 170W Output Power