津田 邦男 | (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
津田 邦男
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
広瀬 真由美
(株)東芝 研究開発センター
-
広瀬 真由美
東芝研究開発センター
-
Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
高田 賢治
(株)東芝 研究開発センター
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
鈴木 隆
東芝研究開発センター
-
佐々木 忠寛
(株)東芝研究開発センター
-
蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
-
蔵口 雅彦
(株)東芝 研究開発センター
-
鈴木 隆
(株)東芝 研究開発センター
-
鈴木 隆
(株)東芝研究開発センター
-
Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
佐々木 忠寛
(株)東芝 研究開発センター
-
杉山 亨
(株)東芝材料・デバイス研究所
-
小原 正生
東芝 研究開発センター
-
栗山 保彦
(株)東芝材料・デバイス研究所
-
昆野 舜夫
(株)東芝研究開発センター
-
津田 邦男
東芝研究開発センター
-
松下 景一
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高木 一考
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
梅田 俊之
(株)東芝研究開発センター
-
昆野 舜夫
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
昆野 舜夫
(株)東芝 先端半導体デバイス研究所
-
小原 正生
東芝研究開発センター
-
梅田 俊之
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
杉山 亨
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
本郷 禎人
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
津田 邦男
東芝 研究開発センター
-
赤木 順子
東芝研究開発センター、材料デバイス研究所
-
栗山 保彦
東芝研究開発センター、材料デバイス研究所
-
栗山 保彦
東芝 研究開発センター
-
杉山 亨
東芝 研究開発センター
-
赤木 順子
東芝 研究開発センター
-
本郷 偵人
東芝 研究開発センター
-
飯塚 紀夫
東芝 研究開発センター
-
小原 正夫
東芝 研究開発センター
-
杉山 亨
東芝研究開発センター
-
飯塚 紀夫
東芝研究開発センター
-
浅香 正行
東芝研究開発センター
-
高木 一考
(株)東芝
-
Takagi Kazutaka
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
松下 景一
(株)東芝社会システム社
-
Matsushita Keiichi
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
著作論文
- ピーキング調整機能付きHBT10Gb/sトランスインピーダンスアンプ
- アンドープAlGaN/GaN HEMTを用いた1.9GHz動作SPDTスイッチ
- C-10-12 AlGaN/GaN HEMTを用いた5W出力1.9GHz動作SPDTスイッチ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 40 Gbps HBT ICs : D-type Flipflop, Darlington feedback amplifier, Preamplifier
- 低ベース抵抗, 高fmax AlGaAs/GaAs HBT
- AlGaN/GaN HEMT構造におけるオーミック接触抵抗への自発分極およびピエゾ分極の効果
- AlGaN/GaN HEMT構造におけるオーミック接触抵抗への自発分極およびピエゾ分極の効果
- C-10-6 オーミック電極の接触抵抗低減によるKa帯GaN HEMTパワー特性の改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)