C-10-6 オーミック電極の接触抵抗低減によるKa帯GaN HEMTパワー特性の改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
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概要
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- 2011-02-28
著者
-
松下 景一
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高木 一考
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
津田 邦男
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
広瀬 真由美
(株)東芝 研究開発センター
-
高田 賢治
(株)東芝 研究開発センター
-
広瀬 真由美
東芝研究開発センター
-
高木 一考
(株)東芝
-
Takagi Kazutaka
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
-
松下 景一
(株)東芝社会システム社
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Matsushita Keiichi
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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