600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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GaN-HEMTは、GaNの高い臨界電界と2DEGチャネルの高い移動度からモーター駆動や電源回路に用いるパワー半導体デバイスとして魅力的な素子である。そこで、フィールドプレート構造を用いて耐圧600Vを有するGaN-HEMTを試作した。試作した素子のオン抵抗は3.3mΩcm^2とSi-MOSFETの1/20の超低オン抵抗を実現した。コンタクト長などを最適設計することで、オン抵抗/耐圧トレードオフを更に改善することができる。更に、試作した素子を用いてDC-DCコンバータ回路の連続運転を行った。ダウンチョツパー回路において、入力電圧200V、スイツチング周波数500kHzでの動作が確認された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-12
著者
-
大村 一郎
東芝セミコンダクター社
-
大村 一郎
九州工業大学
-
齋藤 渉
東芝セミコンダクター社
-
大村 一郎
株式会社 東芝
-
小倉 常雄
東芝セミコンダクター社
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
-
高田 賢治
東芝セミコンダクター社研究開発センター
-
蔵口 雅彦
東芝セミコンダクター社研究開発センター
-
津田 邦男
東芝セミコンダクター社研究開発センター
-
小倉 常雄
東芝
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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