小倉 常雄 | 東芝

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概要

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• 東芝の論文著者

関連著者

• 小倉 常雄

  東芝

• 大村 一郎

  九州工業大学

• 大村 一郎

  株式会社 東芝

• 大村 一郎

  東芝セミコンダクター社

• 小倉 常雄

  東芝セミコンダクター社

• 大村 一郎

  東芝 セミコンダクター社

• 齋藤 渉

  東芝セミコンダクター社

• 高田 賢治

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 蔵口 雅彦

  東芝研究開発センター

• Takada Yoshiharu

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Kuraguchi Masahiko

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Tsuda Kunio

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 津田 邦男

  (株)東芝研究開発センター

• 山口 正一

  株式会社 東芝

• 山口 正一

  (株)東芝セミコンダクター社

• 齋藤 渉

  東芝

• 齋藤 渉

  東芝 セミコンダクター社

• 小倉 常雄

  東芝 セミコンダクター社

• 相田 聡

  東芝医用システム社

• 山口 正一

  東芝セミコンダクター社

• 崎山 陽子

  東芝セミコンダクター社

• 相田 聡

  東芝

• 泉沢 優

  東芝セミコンダクター社

• 高田 賢治

  東芝セミコンダクター社研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  東芝セミコンダクター社研究開発センター

• 高田 賢治

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• 津田 邦男

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• 附田 正則

  東芝

• 上月 繁雄

  東芝

• 山口 正一

  東芝

• 相田 聡

  (株)東芝 医用システム社

• 崎山 陽子

  東芝

• 泉沢 優

  東芝

• 大橋 弘通

  東芝研究開発センター

• 松下 憲一

  (株)東芝

• 土門 知一

  東芝ビジネス&ライフサービス

• 津田 邦男

  東芝セミコンダクター社研究開発センター

• 松下 憲一

  東芝

• 吉岡 裕典

  東芝

• 土門 知一

  東芝ビジネス＆ライフサービス

• 附田 正則

  株式会社東芝

• 大村 一郎

  株式会社東芝

• 齋藤 渉

  株式会社東芝

• 小倉 常雄

  株式会社東芝

• 土門 知一

  東芝研究開発センター

• 三宅 英太郎

  東芝セミコンダクター社

• 日吉 道明

  東芝セミコンダクター社

• 山野 伸明

  東芝セミコンダクター社

• 都鹿野 健一

  東芝セミコンダクター社

• 西谷 和展

  東芝

• 高田 賢治

  東芝 研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  東芝 研究開発センター

• 津田 邦男

  東芝 研究開発センター

• 斎藤 渉

  東芝セミコンダクター社

• 津田 邦身

  東芝セミコンダクター社研究開発センター

• 奥村 秀樹

  東芝

• 浦野 聡

  株式会社 東芝

• 小倉 常雄

  株式会社 東芝

• 大橋 弘通

  東芝

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著作論文

• チョッパ回路における600V系SiC-SBDの低損失化評価
• 4.5kV-6kA遮断IEGT圧接型パッケージの開発
• 600V AlGaN/GaN HEMTの試作とDC-DCコンバータ連続運転試験
• 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計
• EMIノイズとスイッチング損失を考慮したIGBTの限界設計(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
• 15.5mΩcm^2-680V Superjunction MOSFET
• 高アバランシェ耐量を有する600V高速NPT-IGBT
• 高耐圧大電流IEGT (特集 大電力パワーデバイスと応用製品)
• 高耐圧 (>1000V) SemiSuperjunction MOSFET
• フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計
• 600V Semi-Superjunction MOSFET
• 埋め込みp層によるSBDの超低オン抵抗化

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