高田 賢治 | 東芝セミコンダクター社研究開発センター
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概要
関連著者
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大村 一郎
東芝セミコンダクター社
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大村 一郎
九州工業大学
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齋藤 渉
東芝セミコンダクター社
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大村 一郎
株式会社 東芝
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小倉 常雄
東芝セミコンダクター社
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高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
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高田 賢治
東芝セミコンダクター社研究開発センター
-
蔵口 雅彦
東芝セミコンダクター社研究開発センター
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小倉 常雄
東芝
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Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
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Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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津田 邦男
東芝セミコンダクター社研究開発センター
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斎藤 渉
東芝セミコンダクター社
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津田 邦身
東芝セミコンダクター社研究開発センター
著作論文
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)