齋藤 渉 | 東芝セミコンダクター社
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概要
関連著者
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齋藤 渉
東芝セミコンダクター社
-
大村 一郎
九州工業大学
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大村 一郎
株式会社 東芝
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大村 一郎
東芝セミコンダクター社
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津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
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Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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齋藤 渉
東芝
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津田 邦男
東芝研究開発センター
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山口 正一
東芝セミコンダクター社
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山口 正一
株式会社 東芝
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山口 正一
(株)東芝セミコンダクター社
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小倉 常雄
東芝
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大村 一郎
東芝 セミコンダクター社
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土門 知一
東芝ビジネス＆ライフサービス
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齋藤 泰伸
東芝セミコンダクター社
-
小倉 常雄
東芝セミコンダクター社
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土門 知一
東芝ビジネス&ライフサービス
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齋藤 泰伸
東芝
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津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
泉沢 優
東芝セミコンダクター社
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
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Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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新田 智洋
東芝セミコンダクター社
-
垣内 頼人
東芝セミコンダクター社
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新田 智洋
東芝
-
垣内 頼人
東芝
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相田 聡
東芝
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小野 昇太郎
東芝セミコンダクター社
-
都鹿野 健一
東芝セミコンダクター社
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野田 隆夫
東芝
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上月 繁雄
東芝
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山口 正一
東芝
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相田 聡
(株)東芝 医用システム社
-
泉沢 優
東芝
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相田 聡
東芝医用システム社
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角 保人
東芝セミコンダクター社
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来島 正一郎
東芝セミコンダクター社
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辻 正敬
東芝セミコンダクター社
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高田 賢治
東芝セミコンダクター社研究開発センター
-
蔵口 雅彦
東芝セミコンダクター社研究開発センター
-
津田 邦男
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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角 保人
東芝
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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大野 哲也
東芝
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津田 邦男
東芝セミコンダクター社研究開発センター
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高田 賢治
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
蔵口 雅彦
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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吉岡 啓
東芝
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吉岡 裕典
東芝
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藤本 英俊
東芝
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附田 正則
株式会社東芝
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大村 一郎
株式会社東芝
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齋藤 渉
株式会社東芝
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小倉 常雄
株式会社東芝
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大橋 弘通
東芝研究開発センター
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高野 彰夫
東芝セミコンダクター社
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小野 昇太郎
東芝 セミコンダクター社
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齋藤 渉
東芝 セミコンダクター社
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高田 賢治
東芝 研究開発センター
-
蔵口 雅彦
東芝 研究開発センター
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小倉 常雄
東芝 セミコンダクター社
-
津田 邦男
東芝 研究開発センター
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斎藤 渉
東芝セミコンダクター社
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津田 邦身
東芝セミコンダクター社研究開発センター
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附田 正則
東芝
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高下 正勝
東芝セミコンダクター社
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奥村 秀樹
東芝
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大橋 弘通
東芝
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松田 正
東芝
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入船 裕行
東芝
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大田 浩史
東芝
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小野寺 純
東芝
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辻 正敬
東芝
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高野 彰夫
東芝
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小野 昇太郎
東芝
著作論文
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- チョッパ回路における600V系SiC-SBDの低損失化評価
- ダブルインプラ・マルチエピSJ-MOSFETのオン抵抗のnピラープロファイル依存性
- 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
- 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
- 600V AlGaN/GaN HEMTの試作とDC-DCコンバータ連続運転試験
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- ダブルインプラ・マルチエピSJ-MOSFETのオン抵抗のnピラープロファイル依存性(パワーエレクトロニクス及び半導体電力変換一般)
- FP構造を有する高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスとゲートチャージ
- 600V Semi SJ-MOSFET のnバッファ層最適設計
- 15.5mΩcm^2-680V Superjunction MOSFET
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプス抑制に向けたフィールドプレート構造設計ポイント
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路
- CS-9-4 電源用GaNパワーデバイス(CS-9.実用化が進むGaNデバイスの現状と展望,シンポジウム)
- 高耐圧 (>1000V) SemiSuperjunction MOSFET
- 600V Semi-Superjunction MOSFET
- 埋め込みp層によるSBDの超低オン抵抗化
- 高耐圧GaN-HEMTの電流コラプスと信頼性に対する電界の影響
- 高耐圧MOSFETのスイッチング損失-ノイズトレードオフ改善
- スーパージャンクションMOSFETのゲート制御性改善