Kuraguchi Masahiko | Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

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概要

• 同名の論文著者
• Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporationの論文著者

関連著者

• 高田 賢治

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 蔵口 雅彦

  東芝研究開発センター

• Takada Yoshiharu

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Kuraguchi Masahiko

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Tsuda Kunio

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 津田 邦男

  (株)東芝研究開発センター

• 広瀬 真由美

  (株)東芝 研究開発センター

• 広瀬 真由美

  東芝研究開発センター

• Hirose Mayumi

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター

• 大村 一郎

  九州工業大学

• 大村 一郎

  株式会社 東芝

• 鈴木 隆

  東芝研究開発センター

• 鈴木 隆

  (株)東芝研究開発センター

• 松下 景一

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 桜井 博幸

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 川崎 久夫

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 増田 和俊

  東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部

• 高塚 眞治

  東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部

• 蔵口 雅彦

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 鈴木 拓馬

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Takagi Kazutaka

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

• 小倉 常雄

  東芝

• Suzuki Takuma

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Kawasaki Hisao

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

• 増田 和俊

  東芝 社会システム社 小向工場

• Takatsuka Shinji

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

• Sakurai Hiroyuki

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

• 齋藤 渉

  東芝セミコンダクター社

• 高木 一考

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 増田 和俊

  東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部

• 大村 一郎

  東芝 セミコンダクター社

• 川崎 久夫

  (株)東芝社会ネットワークインフラ社小向工場

• 大村 一郎

  東芝セミコンダクター社

• 高田 賢治

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• 津田 邦男

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• Masuda Kazutoshi

  Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation

• Takatsuka Shinji

  Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation

• Kuraguchi Masahiko

  Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• Suzuki Takuma

  Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• Hirose Mayumi

  Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• 広瀬 真由美

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 佐々木 忠寛

  (株)東芝研究開発センター

• 津田 邦男

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 高田 賢治

  (株)東芝 研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  (株)東芝 研究開発センター

• 鈴木 隆

  (株)東芝 研究開発センター

• 齋藤 渉

  東芝 セミコンダクター社

• 小倉 常雄

  東芝 セミコンダクター社

• Matsushita Keiichi

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

• 佐々木 忠寛

  (株)東芝 研究開発センター

• 小倉 常雄

  東芝セミコンダクター社

• 沈 正七

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 寺本 信一郎

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• Suzuki Takashi

  Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• 桜井 博幸

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 松下 景一

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 増田 和俊

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 高塚 眞治

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 鈴木 拓馬

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 川崎 久夫

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 高木 一考

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 高田 賢治

  東芝セミコンダクター社研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  東芝セミコンダクター社研究開発センター

• 沈 正七

  東芝社会ネットワークインフラ社 小向工場 マイクロ波技術部

• 齋藤 泰伸

  東芝セミコンダクター社

• 山口 正一

  東芝セミコンダクター社

• 山口 正一

  株式会社 東芝

• 山口 正一

  (株)東芝セミコンダクター社

• 齋藤 渉

  東芝

• 野田 隆夫

  東芝

• 津田 邦男

  東芝セミコンダクター社研究開発センター

• 山口 正一

  東芝

• 齋藤 泰伸

  東芝

• 湯元 美樹

  東芝研究開発センター

• 高田 賢治

  東芝 研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  東芝 研究開発センター

• 津田 邦男

  東芝 研究開発センター

• 斎藤 渉

  東芝セミコンダクター社

• 津田 邦身

  東芝セミコンダクター社研究開発センター

• TAKADA Yoshiharu

  Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• SAKURAI Hiroyuki

  Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation

• MATSUSHITA Keiichi

  Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation

• SUZUKI Takashi

  Toshiba Corporation

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著作論文

• AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• AlGaN/GaN-HEMTに対するドライエッチングの低ダメージ化の検討(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
• AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
• GaN系MISFETの開発(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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• アンドープAlGaN/GaN HEMTを用いた1.9GHz動作SPDTスイッチ
• C-10-12 AlGaN/GaN HEMTを用いた5W出力1.9GHz動作SPDTスイッチ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
• 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 600V AlGaN/GaN HEMTの試作とDC-DCコンバータ連続運転試験
• 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 600V GaN-HEMTを用いたDC-DCコンバータ連続運転(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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• フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計
• C-band AlGaN/GaN HEMTs with 170W Output Power

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