アンドープAlGaN/GaN HEMTを用いた1.9GHz動作SPDTスイッチ
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概要
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- 2005-03-10
著者
-
鈴木 隆
東芝研究開発センター
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
佐々木 忠寛
(株)東芝研究開発センター
-
津田 邦男
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
-
広瀬 真由美
(株)東芝 研究開発センター
-
高田 賢治
(株)東芝 研究開発センター
-
蔵口 雅彦
(株)東芝 研究開発センター
-
鈴木 隆
(株)東芝 研究開発センター
-
広瀬 真由美
東芝研究開発センター
-
鈴木 隆
(株)東芝研究開発センター
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
佐々木 忠寛
(株)東芝 研究開発センター
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