40 Gbps HBT ICs : D-type Flipflop, Darlington feedback amplifier, Preamplifier
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
光通信システム等の大容量化に伴い、超高速でデジタル信号を扱えるICが求められている。今回、ft,fmaxがともに100GHzを越えるAlGaAs/GaAs HBTを開発し、40Gbpsで動作するDFFおよび高帯域増幅器を試作たので、報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
小原 正生
東芝 研究開発センター
-
津田 邦男
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
栗山 保彦
(株)東芝材料・デバイス研究所
-
津田 邦男
東芝 研究開発センター
-
赤木 順子
東芝研究開発センター、材料デバイス研究所
-
栗山 保彦
東芝 研究開発センター
-
杉山 亨
東芝 研究開発センター
-
赤木 順子
東芝 研究開発センター
-
本郷 偵人
東芝 研究開発センター
-
飯塚 紀夫
東芝 研究開発センター
-
小原 正夫
東芝 研究開発センター
-
杉山 亨
(株)東芝材料・デバイス研究所
関連論文
- 30p-N-7 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響II
- 26a-ZG-8 共鳴トンネルのバレー電流に対する非弾性散乱の影響
- ピーキング調整機能付きHBT10Gb/sトランスインピーダンスアンプ
- アンドープAlGaN/GaN HEMTを用いた1.9GHz動作SPDTスイッチ
- C-10-12 AlGaN/GaN HEMTを用いた5W出力1.9GHz動作SPDTスイッチ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 600V AlGaN/GaN HEMTの試作とDC-DCコンバータ連続運転試験
- p型コレクタをもつAlGaAs/GaAs-HBT
- ミリ波広帯域HBT-VCO
- 超高速光通信用GaAs HBT IC
- 40 Gbps HBT ICs : D-type Flipflop, Darlington feedback amplifier, Preamplifier
- GaAs-HBT超高速ドライバIC
- 低ベース抵抗, 高fmax AlGaAs/GaAs HBT
- AlGaAs/GaAsヘテロ接合バイポ-ラトランジスタを用いた超高速IC (集積回路)
- 光通信素子技術 (光通信技術特集)
- AlGaN/GaN HEMT構造におけるオーミック接触抵抗への自発分極およびピエゾ分極の効果
- AlGaN/GaN HEMT構造におけるオーミック接触抵抗への自発分極およびピエゾ分極の効果
- ポストGaAsマイクロ波電力素子 (マイクロ波通信用半導体)
- C-10-6 オーミック電極の接触抵抗低減によるKa帯GaN HEMTパワー特性の改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- エミッタ電極からの熱伝導を利用したAlGaAs/GaAsパワーHBTの特性
- 2p-L1-3 結合された二つの井戸の量子準位の共鳴トンネル分光(半導体,(表面・界面・超格子))