5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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アンドープAlGaN/GaNのHEMTを用いて、1.9GHz動作、5W出力のSPDTスイッチを試作した。HEMT構造は、アンドープAlGaN層のショットキゲート下に浅いリセスを形成して、ゲートリーク電流を低減し、オーミック電極下に深いリセスを形成して、オーミック接触抵抗を低減する構造とした。ゲート長0.8μm、ゲートオーミック電極間1.1μmの構造で、FET幅1mmあたりのオン抵抗は5.8Ω、オフ容量は0.25pFであった。このFETで構成したスルーFET1mm、シャントFET0.2mmのSPDTスイッチは、オン電圧0V、オフ電圧-15Vの条件で、1.9GHZでの損失が0.41dB、アイソレーションは33dBであった。入力電力は36.9dBmまで確認でき、このときの電力圧縮は0.12dBであった。この結果から、提案したHEMT構造は、高出力、高周波のスイッチに有望であることが確認できた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-11
著者
-
鈴木 隆
東芝研究開発センター
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
佐々木 忠寛
(株)東芝研究開発センター
-
津田 邦男
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
-
広瀬 真由美
(株)東芝 研究開発センター
-
高田 賢治
(株)東芝 研究開発センター
-
蔵口 雅彦
(株)東芝 研究開発センター
-
鈴木 隆
(株)東芝 研究開発センター
-
広瀬 真由美
東芝研究開発センター
-
鈴木 隆
(株)東芝研究開発センター
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
佐々木 忠寛
(株)東芝 研究開発センター
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