佐々木 忠寛 | (株)東芝 研究開発センター
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概要
関連著者
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佐々木 忠寛
(株)東芝研究開発センター
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佐々木 忠寛
(株)東芝 研究開発センター
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(株)東芝モバイルコンピューティング&コミュニケーション開発センター
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北浦 義昭
(株)東芝研究開発センター
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加屋野 博幸
(株)東芝 研究開発センター
著作論文
- 隣接チャネル漏洩電力のゲートバイアス依存性
- アンドープAlGaN/GaN HEMTを用いた1.9GHz動作SPDTスイッチ
- C-10-12 AlGaN/GaN HEMTを用いた5W出力1.9GHz動作SPDTスイッチ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 可変利得機能内蔵1.9GHz直交変調器モジュール