高田 賢治 | (株)東芝 研究開発センター
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概要
関連著者
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高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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津田 邦男
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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広瀬 真由美
(株)東芝 研究開発センター
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高田 賢治
(株)東芝 研究開発センター
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広瀬 真由美
東芝研究開発センター
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Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
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Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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鈴木 隆
東芝研究開発センター
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佐々木 忠寛
(株)東芝研究開発センター
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
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(株)東芝 研究開発センター
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鈴木 隆
(株)東芝 研究開発センター
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鈴木 隆
(株)東芝研究開発センター
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Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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佐々木 忠寛
(株)東芝 研究開発センター
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松下 景一
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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高木 一考
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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高木 一考
(株)東芝
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Takagi Kazutaka
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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松下 景一
(株)東芝社会システム社
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Matsushita Keiichi
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
著作論文
- アンドープAlGaN/GaN HEMTを用いた1.9GHz動作SPDTスイッチ
- C-10-12 AlGaN/GaN HEMTを用いた5W出力1.9GHz動作SPDTスイッチ(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 5W出力1.9GHz動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- C-10-6 オーミック電極の接触抵抗低減によるKa帯GaN HEMTパワー特性の改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)