高木 一考 | (株)東芝

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概要

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関連著者

• 高木 一考

  (株)東芝

• 松下 景一

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 高木 一考

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 高田 賢治

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 高木 一考

  東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部

• 津田 邦男

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 広瀬 真由美

  (株)東芝 研究開発センター

• 高田 賢治

  (株)東芝 研究開発センター

• 広瀬 真由美

  東芝研究開発センター

• 甲斐 健一郎

  (株)東芝 小向工場 マイクロ波技術部

• Takagi Kazutaka

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

• 石村 浩

  株式会社東芝社会インフラシステム社小向工場マイクロ波製品部

• 石村 浩

  (株)東芝 小向工場 マイクロ波技術部

• 斎藤 泰伸

  (株)東芝 小向工場 マイクロ波技術部

• Tsuda Kunio

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Hirose Mayumi

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 木村 英樹

  (株)東芝 小向工場 マイクロ波技術部

• 吉田 大広

  (株)東芝 小向工場 マイクロ波技術部

• 大森 智仁

  (株)東芝 小向工場 マイクロ波技術部

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 津田 邦男

  (株)東芝研究開発センター

• 松下 景一

  (株)東芝社会システム社

• Takada Yoshiharu

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Matsushita Keiichi

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

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著作論文

• X帯及びKu帯高出力GaN HEMTの現状(マイクロ波論文(大学発))
• 高出力GaAs系FET
• C-10-6 オーミック電極の接触抵抗低減によるKa帯GaN HEMTパワー特性の改善(C-10.電子デバイス,一般セッション)

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