X帯及びKu帯高出力GaN HEMTの現状(<特集>マイクロ波論文(大学発))

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概要

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• GaN HEMTの高周波高出力の一例としてX帯50W級,100W級,並びにKu帯50W級GaN HEMTの技術課題と解決方法,特性例について述べる.GaN HEMTは出力電力密度が高い一方で,その発熱密度も高い.発熱量を抑えるためには高い効率,そのために高い利得が必要である.X-Ku帯において利得を上げるために,フィールドプレートを用いない電流コラプス低減対策,Via-holeを用いたソース接地を適用した.その結果,X帯100W級GaN HEMTでは,飽和出力電力51.1dB(129W),最大電力付加効率は47.8%を得た.Ku帯50W級GaN HEMTでは,飽和出力電力47.3dBm(53W),最大電力付加効率は33.2%を得た.最後にいくつかの実用例を紹介した.

• 2009-12-01

著者

• 高木 一考

  (株)東芝

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