高木 一考 | 東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
高木 一考
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
高塚 眞治
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
柏原 康
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
Takatsuka Shinji
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
津田 邦男
東芝研究開発センター
-
松下 景一
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
川崎 久夫
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高木 一考
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
増田 和俊
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
松下 景一
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
川崎 久夫
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
増田 和俊
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
川崎 久夫
(株)東芝社会ネットワークインフラ社小向工場
-
Kawasaki Hisao
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
-
松下 景一
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
柏原 康
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
Takagi Kazutaka
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
増田 和俊
東芝 社会システム社 小向工場
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
桜井 博幸
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
-
桜井 博幸
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
-
Matsushita Keiichi
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
Sakurai Hiroyuki
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
-
高木 重徳
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
小野寺 賢
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
-
甲斐 健一郎
(株)東芝 小向工場 マイクロ波技術部
-
高木 一考
(株)東芝
-
石村 浩
株式会社東芝社会インフラシステム社小向工場マイクロ波製品部
-
石村 浩
(株)東芝 小向工場 マイクロ波技術部
-
斎藤 泰伸
(株)東芝 小向工場 マイクロ波技術部
-
木村 英樹
(株)東芝 小向工場 マイクロ波技術部
-
吉田 大広
(株)東芝 小向工場 マイクロ波技術部
-
大森 智仁
(株)東芝 小向工場 マイクロ波技術部
著作論文
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C帯90W電力FET
- 高利得を実現したC帯16W級内部整合型GaAs電力FET
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高効率X,Ku帯GaAs FET
- Ku帯30W電力FET
- 高出力GaAs系FET