増田 和俊 | 東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部

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概要

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関連著者

• 松下 景一

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 増田 和俊

  東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部

• 川崎 久夫

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 高田 賢治

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 増田 和俊

  東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部

• Kawasaki Hisao

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

• 増田 和俊

  東芝 社会システム社 小向工場

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター

• 高木 一考

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 川崎 久夫

  (株)東芝社会ネットワークインフラ社小向工場

• Takagi Kazutaka

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

• Tsuda Kunio

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 津田 邦男

  (株)東芝研究開発センター

• Takada Yoshiharu

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 高塚 眞治

  東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部

• 桜井 博幸

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• Takatsuka Shinji

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

• Sakurai Hiroyuki

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

• Matsushita Keiichi

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

• 柏原 康

  東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部

• 柏原 康

  東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部

• 松下 景一

  東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部

• 川崎 久夫

  東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部

• 松下 景一

  東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 高木 一考

  東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部

• 桜井 博幸

  東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部

• 鈴木 拓馬

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 蔵口 雅彦

  東芝研究開発センター

• 広瀬 真由美

  (株)東芝 研究開発センター

• 広瀬 真由美

  東芝研究開発センター

• Hirose Mayumi

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Suzuki Takuma

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Kuraguchi Masahiko

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 小野寺 賢

  東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部

• Masuda Kazutoshi

  Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation

• Takatsuka Shinji

  Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation

• Kuraguchi Masahiko

  Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• Suzuki Takuma

  Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• Hirose Mayumi

  Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• 鈴木 隆

  東芝研究開発センター

• 沈 正七

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 寺本 信一郎

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• Suzuki Takashi

  Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• 高木 重徳

  東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部

• 桜井 博幸

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 松下 景一

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 増田 和俊

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 高塚 眞治

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 蔵口 雅彦

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 鈴木 拓馬

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 広瀬 真由美

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 川崎 久夫

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 高木 一考

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 鈴木 隆

  (株)東芝研究開発センター

• 沈 正七

  東芝社会ネットワークインフラ社 小向工場 マイクロ波技術部

• 高木 一孝

  東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部

• TAKADA Yoshiharu

  Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation

• SAKURAI Hiroyuki

  Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation

• MATSUSHITA Keiichi

  Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation

• SUZUKI Takashi

  Toshiba Corporation

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著作論文

• AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
• Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発
• X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発
• C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
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• C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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• Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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• X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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• C-band AlGaN/GaN HEMTs with 170W Output Power
• Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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