広瀬 真由美 | 東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

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概要

• 同名の論文著者
• 東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリーの論文著者

関連著者

• 広瀬 真由美

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 広瀬 真由美

  (株)東芝 研究開発センター

• 広瀬 真由美

  東芝研究開発センター

• Hirose Mayumi

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 鈴木 隆

  東芝研究開発センター

• 高田 賢治

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 鈴木 隆

  (株)東芝研究開発センター

• Takada Yoshiharu

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 蔵口 雅彦

  東芝研究開発センター

• Tsuda Kunio

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 津田 邦男

  (株)東芝研究開発センター

• Kuraguchi Masahiko

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 松下 景一

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 桜井 博幸

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 川崎 久夫

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 高木 一考

  東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 増田 和俊

  東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部

• 高塚 眞治

  東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部

• 桜井 博幸

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 松下 景一

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 増田 和俊

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 高塚 眞治

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 鈴木 拓馬

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 川崎 久夫

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 高木 一考

  東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部

• 鈴木 拓馬

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 増田 和俊

  東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部

• 川崎 久夫

  (株)東芝社会ネットワークインフラ社小向工場

• Takagi Kazutaka

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

• Suzuki Takuma

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Kawasaki Hisao

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

• 増田 和俊

  東芝 社会システム社 小向工場

• Takatsuka Shinji

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

• Sakurai Hiroyuki

  Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation

• 内富 直隆

  (株)東芝研究開発センター

• 内富 直隆

  東芝研究開発センター

• 佐々木 忠寛

  (株)東芝研究開発センター

• 佐々木 忠寛

  東芝研究開発センター

• 北浦 義昭

  東芝研究開発センター

• 北浦 義昭

  (株)東芝セミコンダクター社ディスクリート半導体事業部

• 北浦 義昭

  (株)東芝研究開発センター

• 前田 忠彦

  東芝研究開発センターulsi研究所

• 大高 章二

  (株)東芝研究開発センター

• 三原 正勝

  (株)東芝研究開発センター

• 加屋野 博幸

  東芝研究開発センター

• 田邊 芳一

  (株)東芝研究開発センター

• 梅田 俊之

  (株)東芝研究開発センター

• 梅田 俊之

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 田辺 芳一

  東芝研究開発センター

• 新田 智洋

  東芝研究開発センター

• 三原 正勝

  東芝研究開発センター

• 垣内 頼人

  東芝研究開発センター

• 吉村 操

  東芝研究開発センター

• 藤枝 一也

  東芝研究開発センター

• 西堀 一弥

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 マイクロ波事業開発部

• 大高 章二

  東芝研究開発センターULSI研究所

• 梅田 俊之

  東芝研究開発センターULSI研究所

• 西堀 一弥

  東芝研究開発センターULSI研究所

• 亀山 敦

  東芝研究開発センターULSI研究所

• 亀山 敦

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所 研究開発センター

• 亀山 敦

  東芝セミコンダクター社

• 吉村 操

  (株)東芝研究開発センター

• 新田 智洋

  東芝

• 垣内 頼人

  東芝

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著作論文

• C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• W-CDMA用Self-Aligned Gate PHEMTの高線形特性
• 1.9GHzダイレクトコンバージョン方式による 可変減衰器付直交変調器
• GaN系MISFETの開発(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

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