高塚 眞治 | 東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
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概要
関連著者
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高塚 眞治
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
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Takatsuka Shinji
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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松下 景一
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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高木 一考
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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Takagi Kazutaka
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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川崎 久夫
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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増田 和俊
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
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Kawasaki Hisao
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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津田 邦男
東芝研究開発センター
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増田 和俊
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
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川崎 久夫
(株)東芝社会ネットワークインフラ社小向工場
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Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
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増田 和俊
東芝 社会システム社 小向工場
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Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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桜井 博幸
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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Matsushita Keiichi
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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Sakurai Hiroyuki
Microwave Solid-state Engineering Dept. Komukai Operations Toshiba Corporation
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高木 一考
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
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柏原 康
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
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松下 景一
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
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川崎 久夫
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
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松下 景一
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
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柏原 康
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
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津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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鈴木 拓馬
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
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広瀬 真由美
(株)東芝 研究開発センター
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広瀬 真由美
東芝研究開発センター
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Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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Suzuki Takuma
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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桜井 博幸
東芝社会システム社 小向工場 マイクロ波技術部
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Masuda Kazutoshi
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
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Takatsuka Shinji
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
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Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
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Suzuki Takuma
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
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Hirose Mayumi
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
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鈴木 隆
東芝研究開発センター
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沈 正七
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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寺本 信一郎
東芝社会ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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Suzuki Takashi
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
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高木 重徳
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
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小野寺 賢
東芝社会システム社小向工場マイクロ波技術部
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桜井 博幸
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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松下 景一
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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増田 和俊
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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高塚 眞治
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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鈴木 拓馬
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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広瀬 真由美
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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川崎 久夫
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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高木 一考
東芝会社ネットワークインフラ社小向工場マイクロ波技術部
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鈴木 隆
(株)東芝研究開発センター
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沈 正七
東芝社会ネットワークインフラ社 小向工場 マイクロ波技術部
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高塚 眞治
株式会社東芝 小向工場
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森谷 修
株式会社東芝研究開発センター
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副島 知英
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松下 景一
株式会社東芝社会インフラシステム社小向工場マイクロ波技術部
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高木 一考
株式会社東芝社会インフラシステム社小向工場マイクロ波技術部
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森谷 修
株式会社東芝社会インフラシステム社小向工場マイクロ波技術部
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黒田 健太
株式会社東芝社会インフラシステム社小向工場マイクロ波技術部
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副島 知英
株式会社東芝社会インフラシステム社小向工場マイクロ波技術部
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松下 景一
株式会社東芝 社会インフラシステム社 小向工場 マイクロ波技術部
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黒田 健太
株式会社東芝 社会インフラシステム社 小向工場 マイクロ波技術部
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森谷 修
株式会社東芝 社会インフラシステム社 小向工場 マイクロ波技術部
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副島 知英
株式会社東芝 社会インフラシステム社 小向工場 マイクロ波技術部
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高木 一考
株式会社東芝 社会インフラシステム社 小向工場 マイクロ波技術部
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TAKADA Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory, Corporate R&D Center, Toshiba Corporation
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SAKURAI Hiroyuki
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
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MATSUSHITA Keiichi
Microwave Solid-state Engineering Dept., Komukai Operations, Toshiba Corporation
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SUZUKI Takashi
Toshiba Corporation
著作論文
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C帯90W電力FET
- 高利得を実現したC帯16W級内部整合型GaAs電力FET
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C帯170W出力GaN-HEMTの開発(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- Ku帯50W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- X帯80W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- X帯40W出力AlGaN/GaN-HEMTの開発(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-band AlGaN/GaN HEMTs with 170W Output Power
- X帯30W級高利得高効率小型電力増幅器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- X帯30W級高利得高効率小型電力増幅器の開発(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)