低ベース抵抗, 高fmax AlGaAs/GaAs HBT

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概要

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• AlGaAs, GaAs HBTの高速性能を上げ、ICをより高速に動作させるには,ベースの薄層化によるftの向上,およびベース抵抗の低減が有効である。今回,Pt/Ti/Pt/Auが薄層ベースに対して低コンタクト抵抗のベース電極であり,熱的にも安定であることを実験的に確認した。我々は従来ベース電極にCr/Pt/Auを用いてきたが,このHBTのfmaxが100GHzであるのに対し,Pt/Ti/Pt/Auを用いるとベースコンタクト抵抗低減のため,fmaxは130GHzに向上した。この高fmax HBTを用いてMUXを作製したところ,40Gbpsまでの動作を確認した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1993-07-26

著者

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター

• 小原 正生

  東芝研究開発センター

• 小原 正生

  東芝 研究開発センター

• 津田 邦男

  (株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所

• 栗山 保彦

  (株)東芝材料・デバイス研究所

• 栗山 保彦

  東芝研究開発センター、材料デバイス研究所

• 杉山 亨

  東芝研究開発センター

• 飯塚 紀夫

  東芝研究開発センター

• 浅香 正行

  東芝研究開発センター

• 杉山 亨

  (株)東芝材料・デバイス研究所

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