GaN-HEMTを用いた高電圧・高周波(>10MHz)E級アンプ回路(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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概要
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GaN-HEMTは、高い臨界電界と2DEGチャネルの高移動度により高耐圧・超低オン抵抗を実現できるため、モーター駆動や電源回路に用いるパワー半導体デバイスとして魅力的な素子である。面積あたりのオン抵抗が小さいことでチップ面積の縮小が可能となって、素子容量も低減できる。このため、高耐圧、且つ、高周波動作という従来のSiパワーMOSでは実現できなかった範囲での動作が可能となる。今回、ゲート幅3mmの素子を試作し、耐圧380V、オン抵抗2mΩcm^2、最大ドレイン電流1.9Aを得た。この素子を用いて、13.56MHzでのE級アンプ回路動作を確認し、出力13.4W、効率91%が得られた。更に27.1MHzでも出力13.8W、効率89.6%が得られた。これらの結果からGaN-HEMTの高電圧・高周波動作の可能性が示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-01-10
著者
-
大村 一郎
東芝セミコンダクター社
-
大村 一郎
九州工業大学
-
土門 知一
東芝ビジネス＆ライフサービス
-
齋藤 渉
東芝セミコンダクター社
-
津田 邦男
東芝研究開発センター
-
大村 一郎
株式会社 東芝
-
土門 知一
東芝ビジネス&ライフサービス
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
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