フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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GaN-HEMTは、GaNの高い臨界電界と2DEGチャネルの高い移動度からモーター駆動や電源回路に用いるパワー半導体デバイスとして魅力的な素子である。そこで、数100Vと高い耐圧を有するGaN-HEMTを実際に試作した。試作では、フィールドプレート構造を用いることで600Vの耐圧を実現し、オン抵抗は3.3mΩcm^2とSi-MOSFETの1/20の超低オン抵抗を実現した。フィールドプレート長やコンタクト長などを最適設計することで、オン抵抗/耐圧トレードオフを更に改善することができ、600V素子のオン抵抗は0.5mΩcm^2まで低減できることが見積もられる。また、GaN層を厚くしなくとも耐圧を増加することが可能であるドレイン電極にもフィールドプレートを設けた構造についても検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-26
著者
-
大村 一郎
九州工業大学
-
大村 一郎
株式会社 東芝
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
-
齋藤 渉
東芝 セミコンダクター社
-
大村 一郎
東芝 セミコンダクター社
-
小倉 常雄
東芝 セミコンダクター社
-
高田 賢治
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
蔵口 雅彦
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
津田 邦男
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
小倉 常雄
東芝
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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