高田 賢治 | 東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

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概要

• 同名の論文著者
• 東芝 セミコンダクター社、研究開発センターの論文著者

関連著者

• 大村 一郎

  九州工業大学

• 大村 一郎

  株式会社 東芝

• 高田 賢治

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 蔵口 雅彦

  東芝研究開発センター

• 大村 一郎

  東芝 セミコンダクター社

• 高田 賢治

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• 蔵口 雅彦

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• 津田 邦男

  東芝 セミコンダクター社、研究開発センター

• Takada Yoshiharu

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Kuraguchi Masahiko

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• Tsuda Kunio

  Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation

• 津田 邦男

  (株)東芝研究開発センター

• 齋藤 渉

  東芝 セミコンダクター社

• 小倉 常雄

  東芝 セミコンダクター社

• 小倉 常雄

  東芝

• 大村 一郎

  東芝セミコンダクター社

• 齋藤 渉

  東芝セミコンダクター社

• 齋藤 泰伸

  東芝セミコンダクター社

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター

• 山口 正一

  東芝セミコンダクター社

• 蔵口 雅彦

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

• 山口 正一

  株式会社 東芝

• 山口 正一

  (株)東芝セミコンダクター社

• 齋藤 渉

  東芝

• 野田 隆夫

  東芝

• 山口 正一

  東芝

• 齋藤 泰伸

  東芝

• 津田 邦男

  東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー

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著作論文

• 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
• 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
• フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計

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