蔵口 雅彦 | 東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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概要
関連著者
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大村 一郎
九州工業大学
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大村 一郎
株式会社 東芝
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高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
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大村 一郎
東芝 セミコンダクター社
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高田 賢治
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
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蔵口 雅彦
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
津田 邦男
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
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齋藤 渉
東芝 セミコンダクター社
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小倉 常雄
東芝 セミコンダクター社
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小倉 常雄
東芝
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大村 一郎
東芝セミコンダクター社
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齋藤 渉
東芝セミコンダクター社
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齋藤 泰伸
東芝セミコンダクター社
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津田 邦男
東芝研究開発センター
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山口 正一
東芝セミコンダクター社
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蔵口 雅彦
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
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山口 正一
株式会社 東芝
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山口 正一
(株)東芝セミコンダクター社
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齋藤 渉
東芝
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野田 隆夫
東芝
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山口 正一
東芝
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齋藤 泰伸
東芝
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津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
著作論文
- 高耐圧GaN-HEMTにおけるバッファ層構造と電気的特性の相関
- 高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- フィールドプレート構造を用いたGaNパワーデバイスの最適設計