高耐圧GaN-HEMTにおける電流コラプスのフィールドプレート構造依存性
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概要
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- 2006-11-28
著者
-
大村 一郎
東芝セミコンダクター社
-
大村 一郎
九州工業大学
-
齋藤 渉
東芝セミコンダクター社
-
齋藤 泰伸
東芝セミコンダクター社
-
津田 邦男
東芝研究開発センター
-
山口 正一
東芝セミコンダクター社
-
大村 一郎
株式会社 東芝
-
高田 賢治
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
蔵口 雅彦
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
山口 正一
株式会社 東芝
-
山口 正一
(株)東芝セミコンダクター社
-
齋藤 渉
東芝
-
蔵口 雅彦
東芝研究開発センター
-
野田 隆夫
東芝
-
大村 一郎
東芝 セミコンダクター社
-
高田 賢治
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
蔵口 雅彦
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
津田 邦男
東芝 セミコンダクター社、研究開発センター
-
山口 正一
東芝
-
齋藤 泰伸
東芝
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
-
Takada Yoshiharu
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
Kuraguchi Masahiko
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
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