高耐圧GaN-HEMTの無電極ランプ照明回路への応用(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
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概要
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高耐圧GaN-HEMTを用いた共振インバータ回路による無電極ランプ照明回路を検証した結果について報告する。電流コラプスによるオン抵抗増加を抑制するDual-FP構造を採用した620V/1.4 AGaN-HEMTを試作し、350V以上の高電圧スイッチングを実現した。高電圧・高周波電源応用として、試作した素子を主スイッチング素子に用いた13.56MHz共振インバータ回路によって無電極ランプ照明回路を動作させた。ピーク電圧380V、ゲートスイッチング時間4.5-7ns、入力電力7-10Wの状態にてランプ点灯を確認し、効率は90%以上と見積られた。これらの結果から、高耐圧GaNデバイスの高電圧(数百V)・高周波応用の可能性が示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-01-07
著者
-
大村 一郎
東芝セミコンダクター社
-
大村 一郎
九州工業大学
-
土門 知一
東芝ビジネス＆ライフサービス
-
齋藤 渉
東芝セミコンダクター社
-
新田 智洋
東芝セミコンダクター社
-
垣内 頼人
東芝セミコンダクター社
-
齋藤 泰伸
東芝セミコンダクター社
-
津田 邦男
東芝研究開発センター
-
山口 正一
東芝セミコンダクター社
-
大村 一郎
株式会社 東芝
-
山口 正一
株式会社 東芝
-
山口 正一
(株)東芝セミコンダクター社
-
土門 知一
東芝ビジネス&ライフサービス
-
齋藤 泰伸
東芝
-
新田 智洋
東芝
-
Tsuda Kunio
Advanced Electron Devices Laboratory Corporate R&d Center Toshiba Corporation
-
垣内 頼人
東芝
-
津田 邦男
東芝研究開発センター先端電子デバイスラボラトリー
-
津田 邦男
(株)東芝研究開発センター
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